公开(公告)号：CN101328409A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810131709.X

申请日：2008-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  朴永洙 ,  李银河 ,  朴宰撤

IPC: C09K13/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种氧化物类TFT及制造方法、锌氧化物类蚀刻剂及形成方法。具体地讲，提供了一种锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管，该锌氧化物类薄膜晶体管可包括栅极、处于栅极上的栅极绝缘层、包含锌氧化物且可处于栅极绝缘层的一部分上的沟道，以及与沟道的各侧面接触的源极和漏极。锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管还可包括处于源极与漏极之间的沟道中的凹槽，可利用锌氧化物类蚀刻剂来形成该凹槽。

公开(公告)号：CN1996614A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610171763.8

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白贤锡 ,  李银河 ,  丁炫硕 ,  韩成基 ,  梁旼镐

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种防止栅电极劣化和栅极电流泄漏的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在半导体衬底上的包括H－k(高介电常数)材料的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的包括铝合金的阻挡金属层；以及，形成在阻挡金属层上的栅电极层。示例性地，该阻挡金属层包括TaAlN(氮化钽铝)或TiAlN(氮化钛铝)中的至少一种。阻挡金属层可以包括抗氧化材料从而防止后续的氧气氛中半导体器件的退火期间阻挡金属层的氧化。因此，防止了栅电极的劣化，并防止了栅电极劣化所致的栅极电流泄漏。

公开(公告)号：CN115939195A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210916857.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  李银河 ,  李准浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。

公开(公告)号：CN110246996A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201811358148.7

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑暎锡 ,  权福顺 ,  李银河 ,  全盛湖 ,  郑熙澈 ,  赵偗任 ,  韩圣洙

IPC: H01M2/10

Abstract: 提供一种电池壳结构和包括其的电池装置。电池壳结构可以包括：包括容纳区域的壳体，电池单位容纳在容纳区域中；以及弹性构件组件，提供在壳体中并被配置为向容纳在容纳区域中的电池单位施加压力。弹性构件组件可以包括至少一个第一弹性构件和至少一个第二弹性构件，第一弹性构件具有当位移增加时增大的弹性系数，第二弹性构件具有当位移增加时减小的弹性系数。所述至少一个第一弹性构件和所述至少一个第二弹性构件可以具有不同的结构或者可以布置在不同的方向上。

公开(公告)号：CN101378013A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810128072.9

申请日：2008-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  薛光洙 ,  申雄澈 ,  朴祥珍 ,  李银河 ,  成政宪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供了一种形成氧化铝层的方法和利用该方法制造电荷捕获存储装置的方法。形成氧化铝层的方法可以包括在下面的层上形成非晶氧化铝层、在非晶氧化铝层上形成结晶辅助层和使非晶氧化铝层结晶。形成结晶辅助层的步骤可以包括在非晶氧化铝层上形成非晶辅助层和使非晶辅助层结晶。

公开(公告)号：CN101339954A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810110123.5

申请日：2008-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金昌桢 ,  李银河 ,  李在喆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。