公开(公告)号：CN101051190A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710089842.9

申请日：2007-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李炳珍

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂PR剥离装置，其可以再循环光致抗蚀剂剥离剂且在过滤器操作期间实现连续的过滤动作。该PR剥离装置包括：PR剥离槽，用于接收具有PR图案的基板且用于该PR图案的剥离；PR剥离剂回收管，用于接收来自PR剥离槽的PR剥离剂；两个或更多过滤器单元，用于过滤通过PR剥离剂回收管返回的PR剥离剂；以及PR剥离剂供给管，用于向PR剥离槽供给过滤的PR剥离剂。所述两个或更多过滤器单元彼此并联连接在PR剥离剂回收管和PR剥离剂供给管之间。

公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN1976044A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610140028.0

申请日：2006-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周汉 ,  林淳权 ,  朴弘植 ,  金時烈 ,  李殷国 ,  裴良浩 ,  李炳珍 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  康盛旭

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。