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公开(公告)号：CN112447752A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010914790.X
申请日：2020-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 竖直存储器装置包括在衬底上竖直地延伸的沟道。电荷存储结构设置在沟道的侧壁上。栅电极竖直地彼此间隔开，并围绕电荷存储结构。第一绝缘图案包括栅电极之间的气隙。电荷存储结构包括水平地顺序地堆叠的隧道绝缘层、电荷俘获图案和第一阻挡图案。电荷存储结构包括竖直地彼此间隔开的电荷俘获图案。电荷俘获图案中的每一个水平地面对栅电极中的一个。电荷俘获图案中的每一个的面对第一阻挡图案的外侧壁在第一方向上的长度小于其面对隧道绝缘层的内侧壁在第一方向上的长度。
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