公开(公告)号：CN118159034A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311674381.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  许镇盛 ,  金起弘 ,  崔德铉 ,  李泫宰 ,  赵常玹

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20 ,  H10B51/10

Abstract: 本发明涉及包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法。电子器件可包括导电材料层、覆盖所述导电材料层的铁电层、以及覆盖所述铁电层的电极。所述铁电层可包括由HfxAyOz表示的化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且2(x+y)

公开(公告)号：CN116137287A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211433777.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵鹤烈 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件、其制造方法、半导体装置及电子装置。该半导体器件包括具有包含掺杂剂的沟道层的基板、在沟道层上的铁电层、以及在铁电层上的栅极。沟道层具有1×1015cm‑3至1×1021cm‑3的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN115881189A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211184303.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/56 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了内容可寻址存储器和包括其的电子装置。该内容可寻址存储器可以包括连接到匹配线、字线和搜索线的存储器单元，存储器单元包括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。