公开(公告)号：CN110197690A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910122861.X

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  金承范 ,  金哲范 ,  李承宰

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 存储器器件包括多个字线。一种操作存储器器件的方法包括：通过向第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于执行第一虚拟读取操作的结果，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定阈值电压分布的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及通过向字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。

公开(公告)号：CN110021328A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811306234.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  金承范 ,  朴一汉

IPC: G11C16/08 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压的电压发生器；以及劣化水平检测电路。所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元。所述劣化水平检测电路基于接收到所述读取电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平。连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述读取电压的存储单元包括在所述多个存储单元中。所述电压发生器基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。

公开(公告)号：CN109785879A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811249889.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹盛远 ,  李汉埈

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种操作包括多个级的存储器设备的方法，其中每一级具有多个页面缓冲器。该方法包括：执行多个编程循环当中的第一编程循环的验证操作，第一编程循环的验证操作包括：基于第一采样率对所述多个级的第一级执行第一关闭单元计数操作，以生成第一关闭单元计数结果；基于第一关闭单元计数结果选择性地改变第一采样率以生成改变的第一采样率；以及基于第一采样率和改变的第一采样率中的一个对所述多个级中的第二级执行第二关闭单元计数操作，以生成第二关闭单元计数结果。

公开(公告)号：CN102087878B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201010573000.2

申请日：2010-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金武星 ,  李汉埈

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/3404

Abstract: 一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，其包括沿行和列布置的存储单元。在存储单元阵列的选中存储单元中编程第一页数据，并且在选中存储单元中随后编程第二页数据。使用具有第一起始值的编程电压编程第一页数据编程，并且使用具有通过选中存储单元的编程特性确定的第二起始值的编程电压编程第二页数据。

公开(公告)号：CN102087878A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010573000.2

申请日：2010-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金武星 ,  李汉埈

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/3404

Abstract: 一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，其包括沿行和列布置的存储单元。在存储单元阵列的选中存储单元中编程第一页数据，并且在选中存储单元中随后编程第二页数据。使用具有第一起始值的编程电压编程第一页数据编程，并且使用具有通过选中存储单元的编程特性确定的第二起始值的编程电压编程第二页数据。