公开(公告)号：CN100421202C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN03145424.0

申请日：2003-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  李永熙

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01L21/00 ,  C01B31/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/22 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512

Abstract: 提供了一种氢改性的半导体碳纳米管及其制备方法。加氢改性的半导体碳纳米管具有存在于碳原子与氢原子间的化学键。制备半导体碳纳米管的方法包括：在真空下加热碳纳米管；把氢气中的氢分子分解成氢原子；把碳纳米管暴露于氢气中，使碳纳米管的碳原子与氢原子间形成化学键。使用该方法，可以使得金属碳纳米管转化为半导体碳纳米管和使得较窄能量带隙的半导体碳纳米管转化为较宽能量带隙的半导体碳纳米管。加氢改性的半导体碳纳米管可以用于例如电子器件，光电器件，能量储存器件等。