公开(公告)号：CN111816660B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202010272722.8

申请日：2020-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜振圭 ,  张佑在 ,  李昌燮 ,  朴世准 ,  李载德 ,  李正勋

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。

公开(公告)号：CN116057965A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057330.2

申请日：2021-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李来石 ,  李正勋 ,  郑孝成 ,  宋佳进

IPC: H04W4/02

Abstract: 公开了一种用于提供电子装置的位置确认服务的方法以及支持其的装置。电子装置可以包括：位置测量电路；第一无线通信电路；第二无线通信电路；以及至少一个处理器。至少一个处理器可以：接收包括第一外部装置的标识信息和多跳计数的第一通告分组；在多跳计数为第一值时获得电子装置的位置信息；向服务器发送包括标识信息和位置信息的信号；以及广播第二通告分组，该第二通告分组包括第一外部装置的标识信息和具有从第一值增大的第二值的多跳计数。通过说明书识别的各种其他实施例也是可能的。

公开(公告)号：CN105469375B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201410429745.X

申请日：2014-08-28

Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 马赓宇 ,  郭荣伟 ,  文永秀 ,  赵程昱 ,  李正勋

IPC: G06T5/50

Abstract: 公开了一种处理高动态范围全景图的方法和装置。所述处理高动态范围全景图的方法包括：计算高动态范围(HDR)全景图的亮度图像与和HDR全景图对应的原始全景图的亮度图像之间的差值图像；去除所述差值图像中的亮度值跳变以获得补偿图像；基于补偿图像来获得低动态范围(LDR)全景图。

公开(公告)号：CN101928548A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010215469.9

申请日：2010-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊协 ,  郑智允 ,  李正勋 ,  柳在镇 ,  许政旭

IPC: C09J201/00 ,  C09J4/02 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1339

Abstract: 本发明涉及密封剂、具有其的显示装置及制造该显示装置的方法。所述密封剂包含固化树脂和具有肟酯化合物或2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦化合物的光引发剂。显示装置包括具有显示区域的第一基板、与第一基板相对的第二基板、介于第一基板和第二基板之间的液晶层、和与第一基板和第二基板接触以使第一基板和第二基板彼此结合的密封图案。密封图案可包含具有肟酯化合物或2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦化合物的光引发剂。在制造显示装置的方法中，沿着第一基板的周边部分涂覆所述密封剂以形成密封图案。将液晶滴在第一基板上。在第一基板上设置与第一基板相对的第二基板。使密封图案固化以使第一基板和第二基板彼此结合。

公开(公告)号：CN116057979A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057067.7

申请日：2021-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李来石 ,  李正勋 ,  郑孝成 ,  宋佳进

IPC: H04W8/08

Abstract: 公开了一种提供电子装置定位服务的方法和支持该方法的装置。该电子装置可以包括第一无线通信电路、第二无线通信电路和至少一个处理器。该至少一个处理器可以：当从外部装置接收到通告数据包时，确定多个可访问的服务器中与通告数据包中包括的国家信息相对应的第一服务器；以及从第一服务器获得与外部装置相对应的公钥，以便对电子装置的位置信息进行加密，并向第一服务器发送加密后的位置信息。此外，通过本文件识别出的各种实施例是可能的。

公开(公告)号：CN111816660A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010272722.8

申请日：2020-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜振圭 ,  张佑在 ,  李昌燮 ,  朴世准 ,  李载德 ,  李正勋

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。