公开(公告)号：CN115939140A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211195925.7

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金景洙 ,  李槿熙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅电极，在第二方向上延伸，与有源区交叉；源区/漏区，设置在有源区凹陷的区域中；掩埋互连线，设置在基底中；第一下接触插塞，穿透基底的一部分，并且将源区/漏区中的至少一个与掩埋互连线中的至少一条连接；第二下接触插塞，穿透基底的一部分，并且将栅电极中的至少一个与掩埋互连线中的至少一条连接；以及上接触插塞，连接到源区/漏区的一部分和栅电极的一部分，其中，第一下接触插塞和第二下接触插塞的上表面设置在比栅电极的上表面的水平低的水平上。

公开(公告)号：CN115835621A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211055693.5

申请日：2022-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金景洙 ,  李槿熙

IPC: H10B10/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种包括具有最小化的平面面积和简单布线连接结构的三维结构的(3DS)场效应晶体管(FET)的静态随机存取存储器(SRAM)器件，其包括：半导体衬底；第一鳍有源区，在半导体衬底上在第一方向上延伸；第二鳍有源区，在半导体衬底上在第一方向上延伸并在垂直于第一方向的第二方向上与第一鳍有源区分开；以及四个栅极，在第二方向上延伸并与第一鳍有源区或第二鳍有源区的部分交叉。第一鳍有源区和第二鳍有源区中的每个包括其中仅布置下层的第一区和其中上层布置在下层上的第二区。