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公开(公告)号：CN110060969A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910049167.X
申请日：2019-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。
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