公开(公告)号：CN110060999B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910156871.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN110060999A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910156871.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN1794715A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510137726.0

申请日：2005-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基喆 ,  南基性 ,  姜秉昌 ,  申根浩 ,  李哲雄 ,  姜寅权

IPC: H04L29/02 ,  H04L12/56 ,  H04L29/06

CPC classification number: H04L45/00 ,  H04L45/28 ,  H04L45/42 ,  H04L45/50 ,  H04L45/507 ,  H04L45/70 ,  H04L2012/5669

Abstract: 一种集中控制设备及其方法，用于管理多协议标记交换(MPLS)网络，其中集中控制设备执行MPLS网络的标记交换路径(LSP)设置和对于所设置LSP的管理，以便减小当设置LSP时产生的MPLS网络的载荷，减少用于设置LSP的时间，并改进用于设置LSP的管理效率。