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公开(公告)号：CN1805139A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510128845.X
申请日：2005-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2884
Abstract: 本发明公开了一种半导体失效分析的分析结构和方法。所述结构包括：多个分析场，设置于半导体器件的预定的区域上；半导体晶体管，设置于每个所述分析场中，所述半导体晶体管设置为阵列；字线，设置于所述多个分析场的每个上，在第一方向将所述半导体晶体管彼此连接；和位线结构，在所述多个分析场的每个上，在第二方向将所述半导体晶体管彼此连接，其中，所述位线结构在所述多个分析场的每个中配置为不同的图案。
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