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公开(公告)号：CN107722184B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710684626.2
申请日：2017-08-11
IPC: C08F265/02 , C08F222/14 , C08F2/48 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08K5/37 , C08K3/16 , C09K11/70 , C09K11/02
Abstract: 公开量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置。所述量子点聚集体颗粒包括多个量子点、多价金属化合物、和在其末端处具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物，其中所述量子点聚集体颗粒的尺寸在约20纳米‑10微米的范围内。
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公开(公告)号：CN110875433A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910813544.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点和包括其的电致发光器件。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层。所述量子点包括：包括铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯；设置在所述半导体纳米晶体芯上的第一半导体纳米晶体壳，所述第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上的第二半导体纳米晶体壳，所述第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中所述量子点不包括镉。所述电致发光器件具有大于或等于约9％的外量子效率和大于或等于约10,000坎德拉/平方米(cd/m2)的最大亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118265340A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311791306.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括：阳极和阴极；设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述发光层包括量子点；设置在所述阳极和所述发光层之间的第一空穴辅助层，所述第一空穴辅助层包括聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩)‑聚磺苯乙烯(PEDOT:PSS)或其衍生物；设置在所述第一空穴辅助层和所述发光层之间并且包括与所述第一空穴辅助层的材料不同的空穴传输材料的第二空穴辅助层，其中所述第一空穴辅助层具有面对所述阳极的第一表面和面对所述第二空穴辅助层的第二表面，且所述第一空穴辅助层在所述第二表面处包括表面改性区域，所述表面改性区域包括具有羧酸基团、膦酸基团、磺酸基团、或其盐的表面改性材料。
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公开(公告)号：CN108089399B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711176831.4
申请日：2017-11-22
IPC: G03F7/004 , G03F7/033 , G02F1/1335
Abstract: 公开了光敏性树脂组合物、复合物、层合结构体、以及包括其的显示装置和电子装置，所述光敏性树脂组合物包括(A)光转换材料；(B‑1)包含金属的化合物；(C)能光聚合的单体；(D)光聚合引发剂；和(E)溶剂，其中所述包含金属的化合物包括*‑S‑M‑S‑*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构；所述复合物包括其中分散有光转换材料的聚合物基体，其中所述聚合物基体包括*‑S‑M‑S‑*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构和酯连接基团；所述层合结构体包括所述复合物；所述显示装置包括所述层合结构体。
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公开(公告)号：CN108089399A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711176831.4
申请日：2017-11-22
IPC: G03F7/004 , G03F7/033 , G02F1/1335
CPC classification number: C09K11/70 , C09K11/025 , G02B6/0053 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , G02F1/133617 , G02F2001/133614 , G03F7/004 , G02F1/133528 , G03F7/033
Abstract: 公开了光敏性树脂组合物、复合物、层合结构体、以及包括其的显示装置和电子装置，所述光敏性树脂组合物包括(A)光转换材料；(B-1)包含金属的化合物；(C)能光聚合的单体；(D)光聚合引发剂；和(E)溶剂，其中所述包含金属的化合物包括*-S-M-S-*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构；所述复合物包括其中分散有光转换材料的聚合物基体，其中所述聚合物基体包括*-S-M-S-*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构和酯连接基团；所述层合结构体包括所述复合物；所述显示装置包括所述层合结构体。
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公开(公告)号：CN107966878A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710977354.5
申请日：2017-10-19
IPC: G03F7/027 , G03F7/033 , G03F7/004 , G02F1/13357 , C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K3/00 , C09D5/22 , C09K11/883 , G02B5/201 , G02F1/133514 , G03F7/00 , G03F7/0007 , G03F7/0044 , G03F7/031 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/322 , G03F7/40 , H01L31/0547 , H01L31/055 , H01L33/502 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/897 , Y10S977/95 , G03F7/033 , G02F1/1336 , G02F2001/133614 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 公开量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置。所述量子点-聚合物复合物膜包括：多个量子点，其中所述量子点在其表面上包括有机配体；包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物；和选自高沸点溶剂的残留物、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。
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公开(公告)号：CN107722184A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710684626.2
申请日：2017-08-11
IPC: C08F265/02 , C08F222/14 , C08F2/48 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08K5/37 , C08K3/16 , C09K11/70 , C09K11/02
CPC classification number: C09K11/08 , C01P2004/03 , C01P2004/60 , C01P2004/62 , C09K11/025 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/34 , H01L33/502 , H01L2924/0001 , H01L2933/0033 , C08F265/02 , C08F2/48 , C08K3/16 , C08K3/30 , C08K3/32 , C08K5/37 , C08K2003/168 , C08K2003/3036 , C09K11/02 , C09K11/703 , C08F222/14
Abstract: 公开量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置。所述量子点聚集体颗粒包括多个量子点、多价金属化合物、和在其末端处具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物，其中所述量子点聚集体颗粒的尺寸在约20纳米-10微米的范围内。
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