用于补偿像素之间的信号差异的图像传感器

    公开(公告)号:CN109390361B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN201810840647.3

    申请日:2018-07-27

    Abstract: 一种图像传感器包括:彼此相邻设置的两个或更多个相位差检测像素、与相位差检测像素间隔开的多个一般像素、第一外围像素和第二外围像素、以及第一至第三遮光部。第一外围像素和第二外围像素与相位差检测像素相邻,并在相位差检测像素与一般像素之间。第一遮光部设置在一般像素中的一个中并具有第一宽度。第二遮光部从相位差检测像素与第一外围像素之间的第一区域延伸到第一外围像素中,并具有不同于第一宽度的第二宽度。第三遮光部从相位差检测像素与第二外围像素之间的第二区域延伸到第二外围像素中,并具有不同于第一宽度的第三宽度。

    图像传感器
    12.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115692440A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210878295.7

    申请日:2022-07-25

    Abstract: 一种图像传感器,包括:衬底,其包括像素区并具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及从第一表面凹陷的第一沟槽;浅器件隔离图案,设置在第一沟槽中;以及深器件隔离图案,位于像素区之间并设置在衬底中。深器件隔离图案包括穿透衬底的至少一部分的半导体图案,以及设置在衬底和半导体图案之间的隔离图案。隔离图案包括与第二表面相邻的第一隔离图案和与第一表面相邻的第二隔离图案。第一隔离图案与第二隔离图案接触处的第一界面与浅器件隔离图案间隔开。第一隔离图案包括与第二隔离图案的材料不同的材料。

    图像传感器
    13.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115483234A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210608372.7

    申请日:2022-05-31

    Abstract: 一种图像传感器,包括:具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板;第一聚焦像素;第一合并像素;第二合并像素;第一滤色器;第二滤色器;第三滤色器;网格图案,将第一至第三滤色器分开,但不与第一至第三滤色器重叠;第一微透镜,设置在第一滤色器上;第二微透镜,设置在第二和第三滤色器上,其中第一‑第三单位像素、第一聚焦像素和第二‑第三单位像素沿第一方向连续布置,其中在第一滤色器与第二滤色器之间的网格图案的宽度大于在第二滤色器与第三滤色器之间的网格图案的宽度。

    像素阵列和包括其的图像传感器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114497095A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111226146.4

    申请日:2021-10-21

    Abstract: 本发明提供了一种像素阵列和包括其的图像传感器。该像素阵列包括多个像素组,每个像素组包括:多个单位像素,分别包括设置在半导体衬底中的光电转换元件;沟槽结构,设置在半导体衬底中,并在垂直方向上从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面,以使光电转换元件彼此电分离且光学分离;以及微透镜,设置在半导体衬底上方或下方,微透镜覆盖所述多个单位像素中的所有的光电转换元件,以将入射光聚焦到光电转换元件。

    图像传感器
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111354755A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN202010119013.6

    申请日:2019-08-12

    Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括:基底;光电二极管,位于基底中;第一开口,位于光电二极管上方;多个子膜,覆盖第一开口,其中,所述多个子膜包括第一子膜和第二子膜;遮光层,形成在所述多个子膜上方;第二开口,形成在遮光层中;平坦化层,形成在遮光层上方;以及透镜,设置在平坦化层上方,其中,第一开口与第二开口竖直地对准。

    具有红外滤波器的背侧照明图像传感器

    公开(公告)号:CN111354750A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201910688062.9

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 提供了背侧照明(BSI)图像传感器。一种BSI图像传感器包括基板和多个像素,该多个像素配置为响应于入射在基板上的光而产生电信号。多个像素中的每个包括:光电二极管;红外辐射(IR)截止滤波器,在光电二极管之上;遮光图案,在光电二极管之上并包括对应于多个像素中的每个的1%至15%的面积的开口;平坦化层,在遮光图案上;以及透镜,在平坦化层上。

    电子装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111325125A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN202010088100.X

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 提供了一种电子装置,所述电子装置可包括光电元件、位于光电元件上的屏蔽层以及位于屏蔽层上的滤色器结构。屏蔽层可限定位于光电元件之上的第一开口。滤色器结构可限定位于光电元件和第一开口之上的第二开口。滤色器结构可从面对滤色器结构的视角呈现黑暗。

    像素阵列和包括其的图像传感器
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119677197A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411824217.4

    申请日:2021-10-21

    Abstract: 本发明提供了一种像素阵列和包括其的图像传感器。该像素阵列包括多个像素组,每个像素组包括:多个单位像素,分别包括设置在半导体衬底中的光电转换元件;沟槽结构,设置在半导体衬底中,并在垂直方向上从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面,以使光电转换元件彼此电分离且光学分离;以及微透镜,设置在半导体衬底上方或下方,微透镜覆盖所述多个单位像素中的所有的光电转换元件,以将入射光聚焦到光电转换元件。

    非易失性存储器件及其操作方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118298876A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202311413300.8

    申请日:2023-10-27

    Abstract: 提供了非易失性存储器件及其操作方法。所述操作方法包括:接收读取命令;在字线设置时段期间将对多条未选接地选择线施加的电压从关断电压增大到接通电压;对与第一工艺特性相对应的第一选定接地选择线施加第一电压,直到所述字线设置时段内的第一时间;在所述字线设置时段内的所述第一时间之后,对所述第一选定接地选择线施加第二电压;对与第二工艺特性相对应的第二选定接地选择线施加所述第一电压,直到所述字线设置时段内早于所述第一时间的第二时间;以及在所述字线设置时段内的所述第二时间之后,对所述第二选定接地选择线施加所述第二电压。

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