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公开(公告)号：CN108511016B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201810087600.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴茂熙
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开了一种存储装置。该存储装置包括：连接到第一节点的电阻性存储单元；电流供应单元，向读出节点提供比较电流，所述比较电流要与流过所述第一节点的单元电流进行比较，以读取所述电阻性存储单元中存储的数据；钳位单元，连接在所述读出节点和所述第一节点之间，并且包括晶体管和电容器，所述电容器经由第二节点连接到所述晶体管的栅极；以及读出放大器，对读出节点电压进行读出，并且在所述读出节点电压小于参考电压时转换输出值。所述钳位单元接收第一读取电压和升压电压，在第一预充电模式下升高所述第一节点的电压，并且在第二预充电模式下调节所述第二节点的第二读取电压的电平。
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公开(公告)号：CN110021325A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811494837.0
申请日：2018-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储设备，包括：存储单元阵列，包括布置在字线和位线之间的相应交叉点处的电阻式存储单元；第一列选择电路，布置在存储单元阵列的一侧，并且配置为选择性地连接与电阻式存储单元中的所选存储单元连接的位线；第二列选择电路，布置在与第一列选择电路相对的存储单元阵列的另一侧，并且配置为选择性地连接与所选存储单元连接的位线；以及控制电路，配置为从第一列选择电路和第二列选择电路中确定相对于所选存储单元的远列选择电路，并且在针对所选存储单元的读取操作期间启用远列选择电路。
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公开(公告)号：CN108511016A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810087600.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴茂熙
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/1655 , G11C11/5678 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C16/26 , G11C27/024 , G11C2013/0054 , G11C2207/002 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 公开了一种存储装置。该存储装置包括：连接到第一节点的电阻性存储单元；电流供应单元，向读出节点提供比较电流，所述比较电流要与流过所述第一节点的单元电流进行比较，以读取所述电阻性存储单元中存储的数据；钳位单元，连接在所述读出节点和所述第一节点之间，并且包括晶体管和电容器，所述电容器经由第二节点连接到所述晶体管的栅极；以及读出放大器，对读出节点电压进行读出，并且在所述读出节点电压小于参考电压时转换输出值。所述钳位单元接收第一读取电压和升压电压，在第一预充电模式下升高所述第一节点的电压，并且在第二预充电模式下调节所述第二节点的第二读取电压的电平。
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公开(公告)号：CN1975928B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610172989.X
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004
Abstract: 提供相变随机存取存储器，其包括：包含多个相变存储单元的存储器阵列；和分别连接到相变存储单元的字线，其中在读取操作中，连接到所选相变存储单元的字线的电压在至少两个具有不同电压电平的电压级之间转换。
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公开(公告)号：CN1975928A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610172989.X
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004
Abstract: 提供相变随机存取存储器，其包括：包含多个相变存储单元的存储器阵列；和分别连接到相变存储单元的字线，其中在读取操作中，连接到所选相变存储单元的字线的电压在至少两个具有不同电压电平的电压级之间转换。
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