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公开(公告)号：CN115810631A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210722726.0
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案，在有源图案上；栅电极，在连接到源极/漏极图案的沟道图案上；有源接触件，在源极/漏极图案上；第一下互连线，在有源接触件上；第二下互连线，在栅电极上；第一间隔件，在栅电极与有源接触件之间；以及第二间隔件，与第一间隔件分隔开，并且栅电极或有源接触件置于其间。栅电极包括电极主体部和从其顶表面突出且接触第二下互连线的电极突出部。有源接触件包括接触件主体部和从其顶表面突出且接触第一下互连线的接触件突出部。第一间隔件的顶表面比第二间隔件的顶表面高。
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