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公开(公告)号：CN215578559U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202121328315.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。因此，可以改善存储器装置的生产率、可靠性和电特性。
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