公开(公告)号：CN117636940A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310826394.5

申请日：2023-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高准英 ,  朴政民 ,  朴彰辉

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4063

Abstract: 提供了存储器控制装置及其刷新控制方法。所述存储器控制装置包括阈值生成电路，阈值生成电路被配置为：设置用于电结合到所述存储器控制装置的第一存储器模块的第一阈值。第一阈值基于与第一存储器模块相关联的信息。攻击防御电路还被设置，攻击防御电路被配置为：对输入行地址进行计数，并将第一存储器模块的行地址之中的其计数值超过第一阈值的行地址判定为攻击者行地址。

公开(公告)号：CN118398047A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311301493.8

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高准荣 ,  朴政民 ,  朴彰辉

IPC: G11C11/4074 ,  G11C29/08

Abstract: 提供了易失性存储器装置和用于延长其预期寿命的方法。所述方法包括：执行与包括在易失性存储器装置中的存储器单元对应的寿命测试；基于寿命测试的结果确定存储器单元是具有正常寿命状态还是具有收缩寿命状态，收缩寿命状态指示相对于正常寿命状态减少的预期寿命；以及响应于确定存储器单元具有收缩寿命状态，在读取操作或写入操作期间将施加到与存储器单元连接的字线的字线电压降低到第一电压，第一电压小于在正常寿命状态下施加到所述字线的第二电压。

公开(公告)号：CN117253527A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310172414.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高准英 ,  朴政民 ,  朴彰辉

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/52

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可包括：存储器装置，包括存储器单元、页缓冲器和第一开关，第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端、以及连接到位于页缓冲器的第二节点的第二端；以及存储器控制器，被配置为在第一时段将预充电电压施加到第一节点和第二节点，在第一时段之后的第二时段中闭合第一开关，并且被配置为在第一开关被闭合之后基于第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷。

公开(公告)号：CN117174128A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310644743.1

申请日：2023-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高准英 ,  朴政民 ,  朴彰辉

IPC: G11C8/10 ,  G11C8/14

Abstract: 一种行解码器电路包括连接到电源节点和第一节点的第一晶体管；并联连接在第一节点和电力地节点之间的多个第二节点，多个第二节点中的每一个都连接到多条字线中对应的字线；连接在第一节点和多个第二节点之间的多个第二晶体管；连接在多个第二节点和电力地节点之间的多个第三晶体管；通过接收第一节点的电压和参考电压来输出检测信号的比较器。