制造半导体器件的方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110783181A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910210667.7

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法。一种方法包括:通过在衬底上沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层并蚀刻硬掩模层,来形成硬掩模图案;通过使用硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻多晶硅层来形成预多晶硅图案;氧化预多晶硅图案的侧表面,以形成多晶硅图案和氧化硅层;形成覆盖氧化硅层的侧面的隔墙图案;在支撑掩模层的顶表面上形成牺牲层,以覆盖氧化硅层和隔墙图案;蚀刻牺牲层和氧化硅层;通过使用多晶硅图案和隔墙图案作为蚀刻掩模蚀刻支撑掩模层来形成支撑掩模图案;以及通过使用支撑掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底来形成触发引脚。

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