公开(公告)号：CN110828569B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201910525070.1

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  俞尚旼 ,  黄义澈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。

公开(公告)号：CN115706048A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210920442.2

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  崔圭峰 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上形成在其间具有不同的间隔的第一初始有源图案至第三初始有源图案；分别在第一初始有源图案与第二初始有源图案之间以及第二初始有源图案与第三初始有源图案之间形成第一场绝缘层和第二场绝缘层；以及分别在基于第一初始有源图案至第三初始有源图案形成的第一有源图案至第三有源图案上形成第一栅电极至第三栅电极，第一栅电极至第三栅电极通过第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构分离。

公开(公告)号：CN115621280A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210806228.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  朴恩实 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别在第一方向上延伸并布置在第一线上的第一有源鳍和第二有源鳍，基底具有在第一有源与第二有源鳍之间的凹部；器件隔离膜，在基底上；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源鳍和第二有源鳍上，并且在第二方向上延伸；以及场分离层，具有在第一有源鳍与第二有源鳍之间且在凹部中的第一部分以及在第二方向上从第一部分的两侧延伸到器件隔离膜的上表面的第二部分。凹部具有在与第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔离膜的上表面低的底表面，并且器件隔离膜的上表面的区域具有平坦的表面。