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公开(公告)号：CN1779853A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510106784.7
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
IPC: G11C11/401 , G11C11/403
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40611
Abstract: 提供用于自动刷新易失存储器设备中多个存储器单元的方法，在该方法中，响应于自动刷新模式激活命令而激活易失存储器设备的自动刷新模式。其后，可以响应于自动刷新命令在多个存储器单元上执行自动刷新操作。也提供了相关的动态随机访问存储器设备、存储器系统和逻辑嵌入存储器。
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公开(公告)号：CN115295036A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210440198.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
Abstract: 提供了存储器装置。所述存储器装置包括：单元区域，包括多条字线、多条位线以及连接到设置在其中的所述多条字线和所述多条位线的多个存储器单元，其中，所述多个存储器单元中的每个包括在相应字线与相应位线之间彼此串联连接的开关元件和存储器元件；以及外围电路区域，包括控制逻辑，控制逻辑被配置为：在针对所述多个存储器单元之中的选择的存储器单元的读取命令从外部控制器被接收到时，在读取选择的存储器单元的数据之前将预电压输入到选择的存储器单元。控制逻辑被配置为：参照对选择的存储器单元进行编程之后经过的时间，确定预电压的电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114360608A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111197075.X
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
Abstract: 存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置了多条字线、多条位线以及连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个包括彼此串联连接的双向阈值开关元件和存储器元件；以及外围电路区域，其包括至少一个外围电路，至少一个外围电路被配置为将导通双向阈值开关元件的第一刷新电压输入到多个存储器单元之中的至少一些刷新单元中的每一个以执行刷新操作，在导通双向阈值开关元件的同时将刷新单元中的每一个确定为处于第一状态的第一刷新单元或者处于第二状态的第二刷新单元，并且将与第一刷新电压不同的第二刷新电压输入到第二刷新单元。
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公开(公告)号：CN107919151A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710827030.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C8/08 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/14
Abstract: 公开了一种存储器器件。存储器器件包括：连接到多个字线和位线的单元阵列，所述单元阵列包括多个存储器单元，每个存储器单元包括可变电阻元件和双向选择元件；选择电路，选择所选字线和所选位线；和控制逻辑电路，控制选择电路，使得在待机状态下，连接到单元阵列的第一区域的存储器单元的字线和位线保持在放电状态，并且连接到单元阵列的第二区域的存储器单元的字线和位线保持在预充电状态。
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公开(公告)号：CN101465152A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184193.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/04 , G11C16/3404 , G11C16/3413 , G11C16/3422 , G11C16/3431 , G11C29/02 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/52
Abstract: 提供了半导体存储设备，包括：非易失性存储器，其包括多个存储单元；和存储器控制器，被配置成控制所述非易失性存储器的至少一些操作。所述存储器控制器包括纠错单元。而且，所述存储器控制器被配置成至少部分基于所述纠错单元的输出，而确定在所述多个存储单元中的第一存储单元的读操作期间发生的读取失败是否由于电荷泄漏。还公开了相关方法。
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公开(公告)号：CN101436434A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810188792.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/356 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C29/00 , G11C2211/5641 , H03M13/098 , H03M13/13 , H03M13/6306
Abstract: 揭示了一种用于非易失性存储系统的编程和读方法，包括确定以快速和正常模式之一编程第一数据；在快速模式中，将由多位ECC引擎产生的错误代码提供给第一数据，并且产生第二数据；通过具有比第一开始电平高的第二开始电平的编程电压在单元阵列中编程该第二数据；以及从该单元阵列中读该第二数据，该第二数据在由多位ECC引擎从该第二数据中检测和纠正一个错误处理后被输出。
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