公开(公告)号：CN109817264A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811396629.7

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李埈圭 ,  徐圣鋎

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/34

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：衬底；位于所述衬底上的存储器单元阵列；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为输出擦除使能信号，以用于控制相对于所述存储器单元阵列的擦除操作；衬底偏置电路，所述衬底偏置电路被配置为响应于所述擦除使能信号来在第一延迟时间期间将第一目标电压输出到所述衬底作为衬底偏置电压，并且在所述第一延迟时间之后，将所述衬底偏置电压输出到所述衬底，同时将所述衬底偏置电压的电平逐渐增加到具有比所述第一目标电压高的电平的擦除电压的电平；以及行解码器，所述行解码器被配置为在所述第一延迟时间期间基于所述控制逻辑电路的控制将接地电压施加到接地选择线。

公开(公告)号：CN108269600A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711393302.X

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣鋎

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34

Abstract: 本申请涉及一种用于检测漏电流的设备和存储器设备。存储器设备包括用于多个存储单元的控制器和电源电路。电源电路检测在电源电路中产生的至少一个时钟信号的频率，并基于所述频率来产生比较数据。控制器基于比较数据检测电源电路中的漏电流。

公开(公告)号：CN106251899A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610408931.4

申请日：2016-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋教秀 ,  姜东求 ,  徐圣鋎 ,  金武星

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/30 ,  G11C29/028

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置，其包括：基底；多个存储器单元，在垂直于基于的方向上堆叠；字线，连接到存储器单元；地选择晶体管，在存储器单元与基底之间；地选择线，连接到地选择晶体管；位线，在存储器单元上；以及串选择晶体管，在存储器单元与位线之间。在擦除操作中，在擦除电压提供到基底之后经过特定时间的时刻使地选择线浮置，地选择线根据温度在不同时刻浮置。