集成电路器件
    19.
    发明公开
    集成电路器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114300468A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111171256.5

    申请日:2021-10-08

    Inventor: 崔埈荣

    Abstract: 一种集成电路器件包括:衬底,在其中具有有源区;在衬底上的位线;以及直接接触,在有源区和位线之间延伸并将位线电连接到有源区的一部分。还提供间隔物结构,其在位线的侧壁上以及在直接接触的侧壁上延伸。提供场钝化层,其在直接接触的侧壁与间隔物结构之间延伸。间隔物结构和场钝化层可以包括不同的材料,并且场钝化层可以与直接接触的侧壁直接接触。场钝化层可以包括非化学计量硅氧化物SiOx,其中0.04≤x≤0.4,并且可以具有约或更小的厚度。

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