公开(公告)号：CN113409684A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110193508.8

申请日：2021-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周永 ,  尹英俊 ,  李敦旭

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L27/15

Abstract: 公开了可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置。一种可拉伸装置包括：基板，该基板包括具有第一刚度的第一区域以及在相邻的第一区域之间并具有低于第一刚度的第二刚度的第二区域；单元装置阵列，包括在基板的分开的各个第一区域上的单元装置；以及封装物，覆盖单元装置阵列。单元装置阵列包括：像素电极，被隔离在基板的分开的各个第一区域上；公共电极，被隔离在分开的各个第一区域上，并且每个公共电极面对单独的像素电极，可拉伸装置配置为将相同的电压施加到公共电极；以及活性层，在分开的各个第一区域上，并且每个活性层在单独的像素电极与单独的公共电极之间。

公开(公告)号：CN108428795A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810126979.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸硕圭 ,  朴正一 ,  尹英俊 ,  金周永 ,  李容旭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/28158 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。