公开(公告)号：CN118057607A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311543814.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  曹恩爱 ,  韩娜莱 ,  金汎锡 ,  金载兴 ,  李周浩 ,  崔源湜

IPC: H01L23/64 ,  H10N70/00

Abstract: 公开了一种电容器、半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。电容器包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开设置；介电膜，在第一电极和第二电极之间；以及漏电流减少层，在第一电极和第二电极之间设置在介电膜上并包括MxAlyOz。

公开(公告)号：CN112768436A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。

公开(公告)号：CN112309831A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730842.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  金海龙 ,  柳承旻 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  禹昌秀 ,  郑圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。

公开(公告)号：CN112086456A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010141333.1

申请日：2020-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。