互补金属氧化物半导体图像传感器的像素

    公开(公告)号:CN1866531A

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN200610084827.0

    申请日:2006-05-18

    Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的单元像素,其包括光电转换元件、转移晶体管、升压电容器和信号转移电路,其中,光电转换元件基于入射光产生电荷,转移晶体管响应转移控制信号将电荷转移到浮动扩散结点,升压电容器被放置在转移晶体管的栅极和浮动扩散结点之间,并且信号转移电路响应选择信号来转移浮动扩散结点的电势,并且浮动扩散结点的电势的动态范围可以加宽,转移晶体管的漏极-源极电压差可以增加,从而电荷转移效率可以提高。

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