等离子蚀刻机
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1591792A

    公开(公告)日:2005-03-09

    申请号:CN200410073733.4

    申请日:2004-09-02

    CPC classification number: H01J37/3244

    Abstract: 本发明提供了一种等离子蚀刻机,包括:箱体;上部等离子电极和下部等离子电极,设置在箱体的上部和下部;气体注入管,与箱体连接;多个扩散板,设置在上部等离子电极和气体注入管之间;电力发生器,向上部等离子电极和下部等离子电极施加电压,其中在上部等离子电极上形成多个喷射孔,在多个扩散板上形成多个辅助喷射孔。

    等离子箱体
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1575089A

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN200410037201.5

    申请日:2004-04-22

    CPC classification number: H01J37/32174 H01J37/32082

    Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体,该等离子箱体包括下部电极和上部电极,并用于干蚀刻液晶显示器,包括:主电源部,包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路;偏压电源部,包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路;以及混频器,与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压,且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言,本发明提供一种等离子箱体,其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。

    半导体制造装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1574244A

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN200410048125.8

    申请日:2004-06-16

    Abstract: 本发明涉及一种干蚀刻装置,包括箱体,用于形成等离子进行干蚀刻工序;下部电极,包含排出箱体内部反应气体的排气口,并且设置基片;上部电极,与下部电极隔开面对。而且,这种干蚀刻装置包括清洗部,清洗部与电源进行电连接,包括:清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极;可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子,并通过它除去箱体内壁残留的污染物。

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