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公开(公告)号：CN102651237A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210047778.9
申请日：2012-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/30 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/3436
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。
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公开(公告)号：CN101221812B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200710305150.3
申请日：2007-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C11/5628 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供一种在非易失性存储器件中执行多页复录编程的方法，其中，所述非易失性存储器件包括具有多个存储块的存储器。响应于所产生的多页复录编程命令而对具有第一地址的存储块的数据页进行替换。判断数据页的第一地址是否与所存储的检测到错误的页的地址相同。如果判断出所述第一地址和所存储的地址不相同，则增加所述第一地址。替换数据页，比较地址，并且增加地址，直到判断出所增加的地址和所存储的地址相同为止。在此还提供相关的器件和系统。
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公开(公告)号：CN101221812A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710305150.3
申请日：2007-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C11/5628 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供一种在非易失性存储器件中执行多页复录编程的方法，其中，所述非易失性存储器件包括具有多个存储块的存储器。响应于所产生的多页复录编程命令而对具有第一地址的存储块的数据页进行替换。判断数据页的第一地址是否与所存储的检测到错误的页的地址相同。如果判断出所述第一地址和所存储的地址不相同，则增加所述第一地址。替换数据页，比较地址，并且增加地址，直到判断出所增加的地址和所存储的地址相同为止。在此还提供相关的器件和系统。
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公开(公告)号：CN101159168A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710004057.9
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括存储单元阵列和命令接口，所述命令接口被配置成从半导体存储器件的外部接收命令。命令接口还被配置成解释所接收的命令，并且确定所接收的命令是否是连续操作命令。命令接口输出与命令相对应的命令信号，以及至少一个标记信号，如果命令是连续操作命令，则所述标记信号表示连续操作时间段。控制单元被配置成接收从命令接口输出的命令信号和至少一个标记信号，并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号。电荷泵被配置成响应于泵控制信号，产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。
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