半导体装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110931499A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201910869142.4

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域,上绝缘层位于堆叠结构上,覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度,第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。

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