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公开(公告)号：CN110289360B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910207073.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/13 , H10K71/00
Abstract: 公开了电致发光器件、包括其的显示设备、及其形成方法，所述电致发光器件包括第一电极、设置在所述第一电极上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括其上附着具有空穴传输性质的第一配体的第一发光颗粒的第一发射层、设置在所述第一发射层上并且包括其上附着具有电子传输性质的第二配体的第二发光颗粒的第二发射层、设置在所述第二发射层上的电子传输层、和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述第一配体和所述第二配体具有不同的溶剂选择性。
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公开(公告)号：CN112186113A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010640435.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法。发光器件包括：第一电极和具有面向所述第一电极的表面的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点(例如，多个量子点)的发射层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层。所述电子辅助层包括包含第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且包括第二金属氧化物的第二层。当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层和所述第二电极之间的界面的粗糙度小于约10nm。所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值可小于或等于约0.5eV，和所述第一层的导带底能级可小于所述第二层的导带底能级。
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公开(公告)号：CN110890471A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910842105.4
申请日：2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点和具有连接至骨架结构的取代或未取代的C4-C20烷基的第一空穴传输材料的发射层；设置在所述发射层和所述第一电极之间并且包括第二空穴传输材料的空穴传输层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层。
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公开(公告)号：CN110010776A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811464010.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电致发光器件、和包括其的显示器件。所述电致发光器件包括：第一电极；设置在所述第一电极上并且包括具有共轭结构的第一有机材料的空穴传输层；直接设置在所述空穴传输层上并且包括多个发光颗粒的发射层；设置在所述发射层上的电子传输层；和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述发光颗粒包括中心颗粒和附着至所述中心颗粒的表面的亲水性配体，所述空穴传输层在任意两点处各自具有第一厚度和第二厚度，且所述第一厚度和所述第二厚度满足方程1。方程1在详细的说明书中描述。
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公开(公告)号：CN102983230B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102983230A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210328278.2
申请日：2012-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L51/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括：在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层；在量子点层上设置印模；拾取牺牲层、量子点层和印模；以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。
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公开(公告)号：CN110729404B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201910644525.1
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/10 , H10K71/00 , H10K59/10
Abstract: 发光器件、其制造方法和包括其的显示设备，所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，所述发射层包括量子点；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括纳米颗粒和小分子有机化合物。所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物，且所述小分子有机化合物的电子迁移率小于所述纳米颗粒的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN112750966B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202011201636.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/125 , H10K59/10 , B82Y30/00
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
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公开(公告)号：CN108110144B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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公开(公告)号：CN111435710A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910835922.7
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括：彼此面对的阳极和阴极；在所述阳极和所述阴极之间的量子点层；在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质；在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层，所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质；以及在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层，所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。所述电子设备包括所述量子点器件。
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