公开(公告)号：CN106129107B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610522196.X

申请日：2016-07-01

Applicant: 电子科技大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 杜江锋 ,  李振超 ,  刘东 ,  白智元 ,  于奇 ,  李述洲

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，半导体结构包括：P型半导体材料层；N型半导体材料层，与所述P型半导体材料层相邻接，与所述P型半导体材料层共同形成PN结；多层绝缘材料层，位于所述PN结的外侧，且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布，相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布，大幅提高了器件的击穿电压；避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降，防止了器件提前击穿；本发明避免使用场环和金属场板结构，从而减小了芯片面积，降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN109786465A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811544082.0

申请日：2018-12-17

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  嘉兴奥罗拉电子科技有限公司

Inventor： 李述洲 ,  孙永生 ,  万欣 ,  晋虎 ,  高良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，包括半导体层、体区、源区、载流子吸收区、栅极机构及及导体连接结构，所述导体连接结构分别与所述载流子吸收区和所述源区接触，使所述载流子吸收区与所述源区电连接。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。本发明的功率半导体器件及其制造方法可提高功率半导体器件的抵抗单粒子烧毁效应(Single Event Burnout，SEB)及单粒子栅穿效应(Single Event Gate Rupture，SGER)的能力。

公开(公告)号：CN105762076B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610110506.7

申请日：2016-02-29

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  张力 ,  徐向涛

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺，依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N+磷扩散、切割分离、化学机械抛光、硅片分类、一次氧化、一次光刻、硼扩散、二次光刻、肖特基势垒金属溅射、肖特基势垒形成、正面接触金属蒸发、正面金属光刻、背面处理、蒸发背面接触金属得到成品，用本发明的生产工艺加工的扩散型JBS肖特基芯片特别适宜于制造大电流工艺芯片，其成本至少比外延工艺低三分之一；同时，扩散型工艺形成的JBS肖特基芯片125℃下的高温漏电流比外延工艺小30%以上,缺陷率明显低于外延工艺；而且本工艺简单，易于实现批量化。

公开(公告)号：CN108649073A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810650267.3

申请日：2018-06-22

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  嘉兴奥罗拉电子科技有限公司

Inventor： 李述洲 ,  王兴龙 ,  徐向涛 ,  刘道广 ,  万欣 ,  晋虎

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。

公开(公告)号：CN105904342B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201610518213.2

申请日：2016-07-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李春来 ,  李述洲

IPC: B24B41/06 ,  B24B7/16

Abstract: 本发明公开了一种批量加工圆柱体端面的夹紧工装，包括底板、主体、滑动夹持块和夹持锁紧螺丝，主体固设在底板上，主体内设置有至少一列水平间隔布置并上下贯通的滑槽，每个滑槽内安装有一块与主体等高、与通槽等宽的滑动夹持块，每个滑动夹持块配备有一颗夹持锁紧螺丝，夹持锁紧螺丝通过螺纹水平拧过主体的侧壁并伸到对应的滑槽内与滑动夹持块相连，通过拧动夹持锁紧螺丝能带动滑动夹持块在滑槽内沿夹持锁紧螺丝的轴线移动，滑槽远离对应的夹持锁紧螺丝的那一端带尖角。该工装不但可以对SMA、SMB、SMC、ABS、T0251等设备上使用的吸笔进行整体修磨，还可以对其它类似的圆柱体端面进行批量加工，从而大幅提升工作效率和产品质量。

公开(公告)号：CN105203033B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510644305.0

申请日：2015-10-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 罗元 ,  赖翔 ,  张毅 ,  李述洲 ,  王兴龙

IPC: G01B11/02 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种基于图像的MEMS面内位移测量方法，该方法包括以下步骤：S1，获取两幅图像；S2，在样本图像中选取样本子区f(x,y)，在目标图像中选取目标子区g(x,y)；S3，为提高处理的精度，对两幅子区图像进行分形插值处理；S4，将样本子区图像进行傅立叶变换；S5，将步骤S4中变换后的图像进行滤波，得到涡旋图像；S6，计算涡旋点偏心率参数和相位参数；S7，寻找最佳匹配，获得位移值。本发明解决了传统数字散斑中采用光学方法获取散斑图像需要激光光源同时对微小物体的散斑布放存在困难的问题，也解决了在进行相关运算计算量大，算法耗时较长，测量分辨率满足不了MEMS面内位移亚像素级测量要求的缺陷，能够提高测量精度和效率。

公开(公告)号：CN104916737B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201410745589.8

申请日：2014-12-09

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 徐向涛 ,  王兴龙 ,  张成方

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。

公开(公告)号：CN105609483A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610006518.5

申请日：2016-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 马红强 ,  王兴龙 ,  王强

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L2224/97 ,  H01L23/49506

Abstract: 本发明公开了一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，包括以下步骤：(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合；(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯；(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊；(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装。使用普通肖特基芯片，采用双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘的方法，实现了散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；利用现有设备，普通芯片实现了共阳极封装，满足了市场需求，降低了生产成本，使产品可靠性得到保障，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。

公开(公告)号：CN105244369A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510589211.8

申请日：2015-09-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 郝宏刚 ,  杨永念 ,  张春生 ,  王兴龙 ,  胡钢 ,  王斌

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66712

Abstract: 本发明提出了一种超结VDMOSFET制备方法及利用该方法形成的器件，该制备方法中，在半导体衬底表面外延形成漂移区，在掩膜掩蔽的情况下刻蚀漂移区直至暴露半导体衬底层，从而将漂移区分隔，利用外延填槽工艺在漂移区的间隔空间内插入第二导电类型的柱区，形成P/N柱区相互交错的超结漂移区。本发明通过在N型硅外延层中需要形成P型漂移区的区域刻蚀出沟槽，然后在沟槽中外延P型杂质的硅材料直至沟槽被填满形成P柱区，来代替现有技术中通过在N型外延层与注入P型离子多次相互交替及P型掺杂驱入来形成的P柱区的工艺过程，从而简化了制备超结VDMOSFET的工艺，降低了超结MOSFET的生产成本。

公开(公告)号：CN102788284B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201210292561.4

申请日：2012-08-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李述洲 ,  王兴龙 ,  胡刚

IPC: F21S4/00 ,  F21V23/06 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明公开了一种柔性LED灯带及其制作方法，灯带由多个LED光源模块排列而成，其特征在于：LED光源模块包括上、下两块隔离的铜片以及连接在上、下两块铜片之间的绝缘片，铜片和绝缘片的上表面涂覆有导热层，在导热层上贴装有至少一串LED芯片，在上、下两块铜片上分别设置有电极焊接点，所述LED芯片串接在上、下两个电极焊接点之间，其制作方法包括割料—蚀刻—填料—涂覆—贴装—接线六个步骤。其显著效果是：灯带的连接性好，COB封装的LED光源模块稳定性高，装配方便，可单一模块贴装或多模块连装，可实现大规模批量化生产制造，不但可以应用在玉米灯上，还可以制作各类传统灯型，在路灯光源模块或隧道灯光源模块上也能很好利用。