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公开(公告)号：CN112119341A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980026694.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 统一半导体公司
Abstract: 本发明涉及一种照明设备(1、100)，其用于具有成像物镜(2)的成像系统，所述照明设备包括：套筒(10)，其被配置为围绕所述成像物镜(2)定位；至少一根光纤(14)，所述至少一根光纤与所述套筒(10)刚性连接，并且被布置为引导来自至少一个光源的光；以及引导装置(17、17')，其被配置为定向由所述至少一根光纤(14)发射的光束，以便沿照明轴线照射所述成像系统的视场，所述照明轴线相对于所述物镜(2)的光轴形成大于成像系统的数值孔径的角度。本发明还涉及一种使用该装置的成像系统。
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公开(公告)号：CN109313231A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037424.7
申请日：2017-06-01
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： 西尔万·珀蒂格朗德
Abstract: 本发明涉及一种用于定位集成电路晶片(W)的定位装置(100)，包括：-称为上基座的基座(102)和称为下基座的基座(106)，所述基座在称为垂直方向的方向(Z)上彼此相距一定距离布置，以便在所述基座(102，106)之间产生自由空间；-支撑件(110)，其能够在上基座(102)和下基座(106)之间移动，并包括用于接收待检测的所述电路板(W)的接收位置(112)；-用于定位所述支撑件(110)的至少一个第一装置(118)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述上基座(102)或与所述上基座(102)配合；和-用于定位所述支撑件(110)的至少一个第二装置(122)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述下基座(106)或与所述下基座(106)配合。本发明还涉及一种用于检测使用这种定位装置的集成电路板的装置。
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公开(公告)号：CN107076547A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052310.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01N21/9505 , G01B11/2441 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N2021/8874
Abstract: 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。
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公开(公告)号：CN106716112A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，所述干涉条纹横向于所述晶片的转动路径延伸并且在所述测量空间内具有可变的条纹间距，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述晶片在光源的波长下至少部分透明，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸，所述区域的厚度小于所述晶片的厚度；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号，该电信号表示所收集的光的光强度随时间的变化；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量，所述频率是缺陷通过测量空间的时间特征；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在所述径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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公开(公告)号：CN119816727A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380060977.X
申请日：2023-06-21
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： M·杜兰德·德热维涅 , G·维也纳 , K·本哈德萨勒姆
Abstract: 本发明涉及一种用于基板(3)的光学检查的系统(1)。该系统包括在基板(3)上限定检查区域(I)的照明装置、用于接纳基板(3)的支承件(2)和在基板(3)上限定检测区域(D)的检测装置。根据本发明，检查区域(I)相对于扫描方向(SD)定位在检测区域(D)的至少一部分的前方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119156514A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380041531.2
申请日：2023-05-04
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫 , 阿兰·库特维尔
IPC: G01B9/02015 , G01B11/02 , G01B9/04 , G01B11/06
Abstract: 本发明涉及用于表征在诸如晶圆之类的衬底（102）中蚀刻的结构（104）的方法（200、300、400），该方法（200、300）包括以下步骤：‑使用从光源（130）发出的照射光束，照射（202）至少一个结构（104）的底部（105），该光源发射具有适于透射通过该衬底（102）的波长的光，‑利用位于所述衬底（102）的底侧（108）上的成像设备（120、122、124），通过该衬底（102）获取（204、206）所述至少一个结构（104）的底部（105）的至少一个图像，以及‑从所获取的至少一个图像测量（210）与所述至少一个HAR结构（104）的底部（105）的横向尺寸相关的至少一个数据，该数据被称为横向数据。本发明还涉及实施这种方法的系统。
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公开(公告)号：CN116558441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310490144.9
申请日：2019-11-28
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 , 伊莎贝尔·贝尔然
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。
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公开(公告)号：CN112867919A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980066101.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 统一半导体公司
Inventor： M·杜兰德·德热维涅
Abstract: 本发明涉及一种对诸如用于电子器件、光学器件或电子器件的晶片的基板(3)进行检查的暗场光学装置(1)，该暗场光学装置包括：光源(4)，该光源生成被投射到基板(3)的检查区(P)上并且能够以漫射辐射(5)的形式从该检查区反射的至少一个入射照明光束(4a、4a’、4a”)；至少一个第一收集装置(7a)以及一个第二收集装置(7b)；以及反射光学装置(6)，该反射光学装置沿收集装置(7a、7b)的方向引导漫射辐射(5)的从与检查区(P)重合的光学收集焦点(F)发出的至少一部分，反射光学装置具有第一反射区(6a)和第二反射区，从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭的第一光学检测焦点(Fa)反射漫射辐射(5)的第一部分，并且从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭并与第一光学检测焦点(Fa)分离的第二光学检测焦点(Fb)反射漫射辐射(5)的第二部分。
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公开(公告)号：CN109073566A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021710.4
申请日：2017-03-14
Applicant: 统一半导体公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
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公开(公告)号：CN108431545A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074722.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 统一半导体公司
Abstract: 本发明涉及一种用于测量诸如晶片等测量对象(24)的高度和/或厚度的装置，包括：(i)第一低相干干涉仪，布置成将参考光束(17)和源自所述光在测量对象(24)的界面上的反射的测量光束(16)组合在光谱仪(18)中，以便产生具有光谱调制频率的带光谱信号(41)；(ii)用于改变测量光束(16)和参考光束(17)的相对光学长度的移动单元(21)，和用于测量表示所述相对光学长度的位置信息的单元；(iii)电子和计算单元(20)，布置成确定表示测量光束(16)和参考光束(17)之间的光程差的至少一个光谱调制频率，并使用所述位置信息和所述至少一个光谱调制频率来确定所述测量对象(24)的至少一个高度和/或厚度；以及(iv)第二光学单元(27)，用于利用第二测量光束(28)来测量距离和/或厚度，其中该第二测量光束入射到测量对象(24)上的与测量光束(16)相反的第二面上。本发明还涉及在所述装置中实施的方法。
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