半导体装置、半导体装置的控制方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN119769194A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202280099412.8

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本公开所涉及的半导体装置具备:漂移层,包括交替地配置的第一导电类型的第一柱区域和第二导电类型的第二柱区域;第二导电类型的基极区域,配置于漂移层的第一主面侧;栅极绝缘膜,以与基极区域相接的方式配置;栅极电极,以隔着栅极绝缘膜的方式配置;第一导电类型的电荷保持区域,配置于基极区域与第二柱区域之间;以及第一导电类型的发射极区域,配置于基极区域中的第一主面侧的表层,第二柱区域中的作为第二主面侧的端部的下端位于比第一柱区域中的作为第二主面侧的端部的下端靠第二主面侧的位置,在将第二柱区域中的作为第一主面侧的端部的上端的宽度设为wp1、将第二柱区域中的与第一柱区域的下端相同的位置的宽度设为wp2以及将第二柱区域的下端的宽度设为wp3时,wp3>wp2且wp1>wp2。

    恒流驱动电路
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110582137B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN201910480607.7

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明是一种恒流驱动电路,具备:输出晶体管,驱动负载接通/断开;第一电阻,检测流过所述负载的电流并生成第一电压;第一跨导放大器,输入所述第一电压和第一基准电压,以使所述第一电压与所述第一基准电压一致的方式控制所述输出晶体管;电容器,与所述输出晶体管的输入侧连接;PWM控制晶体管,根据PWM信号使所述输出晶体管导通/截止;快速充电电路,在通过该PWM控制晶体管将所述负载从断开切换为接通时,对所述电容器进行充电,使所述输出晶体管的动作的上升迅速化;以及充电停止电路,包括使通过该快速充电电路进行的充电停止的比较器。

Patent Agency Ranking