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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105934833B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN105934833A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN105283968A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480012061.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , G06F17/10 , G06F17/5009 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上，具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件，其特征在于，所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件，所述周期a和半径R的比(R/a)为，以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值，各周期结构参数为，通过采用FDTD法的模拟的解析结果，以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数，该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。
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公开(公告)号：CN108292695B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201680051208.3
申请日：2016-09-02
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧起按顺序依次具有反射电极层、极薄膜金属层以及p型接触层，进一步，具有与所述p型接触层侧的所述基板的背面接合的、对于波长λ而透明的半球状透镜，所述半球状透镜的折射率为所述基板的折射率和空气的折射率的平均值以上、且处于所述基板的折射率以内，所述半球状透镜具有所述基板的内切圆的半径以上、且为外接圆的半径左右的半径。
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公开(公告)号：CN107210336A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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