公开(公告)号：CN1715387A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510079837.0

申请日：2005-06-29

Applicant: 东友FINE-CHEM株式会社

Inventor： 高岛正之

IPC: C11D1/83 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供了一种新的电子部件清洗液，该清洗液可以抑制硅或除硅以外的金属的腐蚀，并且可以有效清除附着在电子部件表面上的细尘或有机物质，而且不容易产生白色浑浊。本发明提供的电子部件清洗溶液的特征为包含阴离子表面活性剂、氢氧化物、金属腐蚀抑制剂、水和由式(I)代表的非离子型表面活性剂和/或由式(II)代表的非离子型表面活性剂，其中EO是氧乙烯基，PO是氧丙烯基。x和y以及a和b是正数，其中x/(x+y)和a/(a+b)均在0.05～0.5的范围内，z和c是正整数。R是从由化合价为1～4的基团代表的醇或胺的羟基除去氢原子后的残基。见所述式(I)和式(II)。

公开(公告)号：CN1690865A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510064727.7

申请日：2005-04-18

Applicant: 东友FINE-CHEM株式会社

Inventor： 高岛正之

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C11D3/046 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0047

Abstract: 近年来，使用铜线路作为半导体器件的线路材料，使用低介电常数膜作为线路之间的绝缘膜。在这方面，需要一种光致抗蚀剂剥离剂，其可以抑制对铜层或低k膜的腐蚀和损坏，并且具有优异的除去已灰化的光致抗蚀剂残余物的性能。本发明提供了一种光致抗蚀剂剥离剂(下文称为本发明的剥离剂)，其特征在于，它包含叔胺化合物、碱性化合物、氟化合物和阴离子表面活性剂；还提供了一种使用本发明的剥离剂制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1677248A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510063722.2

申请日：2005-03-30

Applicant: 东友FINE-CHEM株式会社

Inventor： 高岛正之

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种剥离剂，该剥离剂能极好地抑制铜线路或低k膜的腐蚀或损坏，并具有极好的灰化后光致抗蚀剂残余物的可除去性。本发明提供了一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，该组合物包含至少两种不同无机酸的盐、表面活性剂和金属缓蚀剂，并且具有3～10的pH；本发明还提供了一种制备半导体装置的方法，其特征在于，使用所述的光致抗蚀剂剥离剂来剥离光致抗蚀剂残余物，所述光致抗蚀剂残余物是在制备以铜或主要为铜的铜合金作为线路材料的半导体装置中产生的。

公开(公告)号：CN1690865B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200510064727.7

申请日：2005-04-18

Applicant: 东友FINE-CHEM株式会社

Inventor： 高岛正之

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C11D3/046 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0047

Abstract: 近年来，使用铜线路作为半导体器件的线路材料，使用低介电常数膜作为线路之间的绝缘膜。在这方面，需要一种光致抗蚀剂剥离剂，其可以抑制对铜层或低k膜的腐蚀和损坏，并且具有优异的除去已灰化的光致抗蚀剂残余物的性能。本发明提供了一种光致抗蚀剂剥离剂(下文称为本发明的剥离剂)，其特征在于，它包含叔胺化合物、碱性化合物、氟化合物和阴离子表面活性剂；还提供了一种使用本发明的剥离剂制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1295311C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200510079837.0

申请日：2005-06-29

Applicant: 东友FINE-CHEM株式会社

Inventor： 高岛正之

IPC: C11D1/83 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供了一种新的电子部件清洗液，该清洗液可以抑制硅或除硅以外的金属的腐蚀，并且可以有效清除附着在电子部件表面上的细尘或有机物质，而且不容易产生白色浑浊。本发明提供的电子部件清洗溶液的特征为包含阴离子表面活性剂、氢氧化物、金属腐蚀抑制剂、水和由式(I)代表的非离子型表面活性剂和/或由式(II)代表的非离子型表面活性剂，其中EO是氧乙烯基，PO是氧丙烯基。x和y以及a和b是正数，其中x/(x+y)和a/(a+b)均在0.05～0.5的范围内，z和c是正整数。R是从由化合价为1～4的基团代表的醇或胺的羟基除去氢原子后的残基。所述式(I)和式(II)是：HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)R-[((EO)a-(PO)b)c-H]m(II)

公开(公告)号：CN1637621A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410102993.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 东友FINE-CHEM株式会社 ,  东友STI株式会社

Inventor： 崔永国 ,  梁敏洙 ,  林大成 ,  李京模 ,  李佳妍 ,  崔善美 ,  金相泰 ,  田成贤 ,  李种灿 ,  池根旺

IPC: G03F7/32 ,  G02F1/1335 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明涉及含有下述成分的感放射线性组合物用显影液，所述成分为化学式1表示的非离子性表面活性剂、化学式2表示的非离子性表面活性剂、化学式3表示的非离子性表面活性剂、碱性化合物以及水。本发明的感放射线性组合物用显影液同时具有对滤色片光致抗蚀剂、黑底、间隙材料等感放射线性组合物的良好的显影性和图案重现性，能消除在喷雾等步骤中产生的泡沫在显影时的影响，具有低泡沫性且显影能力出色。