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公开(公告)号：CN108763640A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810359737.0
申请日：2018-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5063
Abstract: 本发明公开了高效率高回退的Doherty功率放大器及其设计方法。传统Doherty功率放大器回退范围只有6dB。本发明高效率高回退的Doherty功率放大器，包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路、负载调制网络和输出电阻。负载调制网络包括第一微带线、第二微带线和第三微带线。所述第一微带线的一端接载波输出匹配网络的负载端，另一端接第二微带线及第三微带线的一端。第三微带线的另一端接地。第二微带线的另一端与峰值输出匹配网络的负载端相连，并接输出电阻的一端。本发明用微带线代替了集总元器件，避免了集总元器件对效率和带宽的影响，从而提高了效率，拓展了带宽。
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公开(公告)号：CN108763622A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810314305.8
申请日：2018-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: G06F17/5063 , H03F1/42 , H03F3/189 , H03F3/20
Abstract: 本发明公开了一种谐波控制网络及采用其的F类功率放大器的设计方法。传统F类功率放大器的工作带宽较窄。本发明一种谐波控制网络，包括第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线和第六微带线。第一微带线的一端与晶体管的输出端相连，另一端与第二微带线的一端相连。第二微带线的另一端与第三微带线及第五微带线的一端相连。第五微带线的另一端悬空。第三微带线的另一端与第四微带线的一端相连；第四微带线的另一端与第六微带线的一端相连。第六微带线的另一端悬空。本发明通过增加锥形调谐微带线，使得F类功率放大器在保持高效率的同时，拓展了带宽。
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公开(公告)号：CN108089495A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711326865.7
申请日：2017-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种磁流体控制装置，该装置至少包括驱动单元和电磁铁阵列，其中，所述驱动单元中设置控制模块，用于根据运行程序产生驱动信号控制所述电磁铁阵列中每个电磁铁的状态；所述电磁铁阵列由多个单体电磁铁组成，用于根据驱动信号使相应电磁铁状态变化进而改变空间磁场分布以控制磁流体呈现相应的空间分布。与现有技术相比较，本发明利用电磁铁阵列可以轻松实现对磁流体行为的控制，同时本发明所采用的电路结构简单，所需电路元器件较为容易获得，且成本低。
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公开(公告)号：CN107743018A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710849932.7
申请日：2017-09-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种新型高次谐波控制网络，包括第四微带线TL4和第五微带线TL5，所述第四微带线TL4为终端开路微带线，电长度为1/8波长，所述第五微带线TL5为终端短路微带线，电长度为1/8波长；其中，功放管输出端与所述第四微带线TL4和所述第五微带线TL5的一端相连接，所述第四微带线TL4的另一端开路，所述第五微带线TL5的另一端接地。采用本发明的技术方案，通过简洁的电路拓扑结构即可实现对所有偶次谐波的控制，从而无需以扩大电路版图面积和设计复杂度为代价，同时使得输出信号中谐波带有的能量更少，有效的提高了基波信号的输出功率和整个功率放大器的工作效率。
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公开(公告)号：CN107453713A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710563660.4
申请日：2017-07-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种改善栅源寄生效应的功率放大器，包括输入匹配电路、栅源寄生补偿电路、输出匹配电路和偏置电路，其中，栅源寄生补偿电路用于补偿GaN HEMT自身的栅源寄生效应，使得栅源寄生效应对电路的影响达到最小。相对于现有技术，本发明通过改善GaN HEMT栅源寄生效应的方法来设计功率放大器，减少由于栅源寄生效应产生的输入谐波对于功率放大器的影响，提高整体电路的输出功率和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105977294A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610294235.5
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供一种新型常关型III‑V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质模板层、漏电极、源电极、第一介质层，第二介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质模板层设置在第一半导体层本体上并等间隔形成n个窗口，第一半导体层本体沿n个窗口生长形成n个凸起部分；凸起部分使第一半导体层超出临界厚度从而在凸起部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本发明利用特殊设计的势垒层获得不连续的沟道，并且栅电极将源、漏电极之间的沟道完全覆盖，从而实现对沟道二维电子气的完全控制，能够避免器件的“电流崩塌”效应；同时该器件可以同时获得较高的击穿电压和截止频率。
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公开(公告)号：CN105897194A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610309332.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种连续EF类高效率宽带功率放大器及其实现方法，包括基波输入匹配网络、E类功率放大器、连续型谐波控制网络以及基波输出匹配网络，其中，基波输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端接E类功率放大器的输入端；E类功率放大器的输出端与连续型谐波控制网络的输入端相连接，连续型谐波控制网络的输出端与基波输出匹配网络的输入端相连接，基波输出匹配网络的输出端作为功率输出。相对于现有技术，本发明在对“连续类思想”进行深入研究的基础上，提出新型基波输出匹配网络和连续型谐波控制网络，能够极大抑制负载阻抗随工作频率的漂移，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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公开(公告)号：CN104883171A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510282496.0
申请日：2015-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由一个串联MOSFET管和一个并联MOSFET管组成，每组电路再串联一个MOSFET管，然后相互并联到主通路；每个MOSFET管的衬底都串联一个电容，电容的另一端接地；电路中栅极控制电压接在每个MOS管的栅极，衬底控制电压接在衬底与电容间的节点上。本发明结构较为简单、功耗小、电路集成度高。
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公开(公告)号：CN119420386A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411416185.4
申请日：2024-10-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H04B7/0417 , H04B7/06 , H04B7/08 , H04W28/06 , H04W56/00
Abstract: 本发明公开了一种基于5G NR中的SSB信号实现感知的方法，包括如下步骤：RRU周期性发射SSB的扫描信号，同时，用户以及环境中的目标将发射过来的信号反射回去；RRU接收反射回来的信号，将反射回来的信号中的数据剥离，写成压缩感知的形式，并转换为延迟在网格模型后，进行酉变换，然后通过UAMP‑SBL算法进行估计；针对多条多径对于同一个延迟的情况，将得到的多径估计结果写成压缩感知的形式，利用OGSBI算法将不同角度的多径分离并估计出来；而后根据估计出来的角度和发射时不同RRU的发射角判断估计出每一组参数是归属于哪个RRU的。本发明可以显著提高感知精度并降低计算复杂度，具有更高的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN114309591B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111658329.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种包覆薄二氧化硅金纳米棒自组装的方法，先制备金纳米棒，再在金纳米棒表面包覆一层薄二氧化硅，最后通过乳液法将金纳米棒自组装成球形的超级粒子。本发明操作难度低，合成周期短，并且产物性质稳定，可以基于金纳米棒浓度进行自组装体尺寸的调控。
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