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公开(公告)号：CN215909469U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202122067612.0
申请日：2021-08-27
Applicant: 济南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种兼具被动制冷和太阳能界面蒸发的装置，该装置能够打破现有技术中用于被动制冷的装置无法同时实现太阳能捕获利用，而通过太阳能界面蒸发的对太阳能进行利用的装置也不能同时实现被动制冷的技术壁垒，能够同时实现被动制冷和太阳能捕获利用。在户外环境中，既可以收集太阳能进行蒸发，又可以给周围环境或者建筑物进行制冷。
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公开(公告)号：CN220514209U
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202321726484.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 济南大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本实用新型公开了一种微流控芯片和离心式组件，微流控芯片包括从下往上依次叠加的底板、芯片和封盖，芯片包括位于芯片中心的样本存储腔和若干扩增检测单元，扩增检测单元围绕样本存储腔呈放射状分布；扩增检测单元包括沿直径分布的样本定量腔和混匀扩增检测腔，样本定量腔和样本存储腔通过第一通道连接，样本定量腔和混匀扩增检测腔通过第二通道连接；离心式组件包括圆台形的中空转子，桶形的托盘，螺栓，托盘的内壁和外壁分别具有均匀分布的若干插块，中空转子的内壁具有均匀分布的若干纵向贯穿的插槽，所述托盘的外壁通过插块与中空转子的插槽插合连接；离心式组件与微流控芯片互相配合使用。该芯片制备工艺简单，成本低，操作快捷，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN219709476U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202222570354.2
申请日：2022-09-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微流控芯片，微流控芯片包括从下往上依次叠加的底板、芯片和封盖，芯片包括位于芯片中心的样本存储腔和若干扩增检测单元，扩增检测单元围绕样本存储腔呈放射状分布；扩增检测单元包括沿直径分布的样本定量腔和混匀扩增检测腔，样本定量腔和样本存储腔通过第一通道连接，样本定量腔和混匀扩增检测腔通过第二通道连接。该芯片制备工艺简单，成本低，操作快捷，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN216274468U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202121617291.0
申请日：2021-07-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于超大尺寸长等径铌酸锂生长的装置，所述装置包括生长装置与加料装置；生长装置包括第一坩埚及第一保温层；第一保温层和第一坩埚之间设有生长加热器；第一坩埚上方设有可旋转升降的籽晶杆，籽晶杆贯穿第一保温层的顶部；加料装置包括第二坩埚及第二保温层，第二坩埚与第二保温层之间设有化料加热器；第二坩埚的上方设有加料管，加料管穿过第二保温层；第一坩埚的底部通过输料管与第二坩埚的底部连通；输料管的外壁上设有输料加热器。本实用新型采用化料与生长相分离的方法，通过输料管的热量带入生长区熔体中心使得生长区域温度更均匀，以及及时补充原料的方法，避免了生长界面过冷导致的大尺寸铌酸锂晶体拖尾现象。
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