公开(公告)号：CN100408498C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200510010431.7

申请日：2005-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  郑欣 ,  宋亮

IPC: C03C10/00 ,  C03C10/10 ,  C03B32/02

CPC classification number: C03C3/097

Abstract: 以Li2O-SiO2-P2O5为主要原料的微晶玻璃及其制备方法，它涉及微晶玻璃及其制备方法。为了解决现有微晶玻璃析晶度低、力学性能差的问题。它由SiO2、Li2O、P2O5、ZnO、K2O、CaO为原料组成，各原料成分的含量为SiO2：60～75wt%、Li2O：15～18wt%、P2O5：2～11wt%、ZnO：2.5～3.5wt%、K2O：4～6.5wt%、CaO：1～1.5wt%。方法：一、将上述原料进行球磨、烘干；二、将经方法一的粉末放入坩埚中熔化；三、将经方法二获得的玻璃熔液经水淬成块状玻璃；四、将经方法三的玻璃球磨成粉末；五、将经方法四的粉末在热压烧结炉中，并以单轴施压，烧结后脱模并随炉冷却，即制备出二硅酸锂为主晶相的微晶玻璃。本发明方法得到的主晶相为棒状的二硅酸锂晶体，该晶体的析晶度高，力学性能好。

公开(公告)号：CN101003373A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610151061.3

申请日：2006-11-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  张晓东

IPC: C01B33/18 ,  C01B31/02 ,  C01B31/36 ,  B82B3/00 ,  C04B35/628

Abstract: 一种非晶态的碳/二氧化硅纳米复合材料的制备方法，它涉及一种非晶态的碳/二氧化硅纳米复合材料的制备方法。解决了原有碳/二氧化硅纳米复合材料的制备工艺复杂、产率低、含杂质成分较多及颗粒度不均匀的问题。通过以下步骤实现：(一)取硅溶胶、蔗糖及去离子水混合；(二)搅拌；(三)将溶胶凝胶化处理；(四)凝胶热处理；(五)冷却,得到非晶态的碳/二氧化硅纳米复合材料。本发明制备非晶态的碳/二氧化硅纳米复合材料的工艺简单、制备过程中不需催化剂，产物中碳和二氧化硅的比例易于控制，均以非晶态形式存在并结合成均一的颗粒，颗粒度为纳米量级，反应活性高，可以用作SiC纳米材料、含SiC的复合材料和含有硅氧碳的复合材料的制备原料。

公开(公告)号：CN1958443A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610151079.3

申请日：2006-11-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  张晓东

IPC: C01B31/36 ,  B82B3/00

Abstract: 一种制备超长SiC纳米纤维的方法，它涉及一种纳米纤维的制备方法。为了解决原有SiC纳米纤维的制备方法存在产物不纯、产率小、需要催化剂、纳米纤维粗细不均和产物长度只能达到微米量级的问题。本发明通过以下步骤实现：(一)取含碳的SiO2凝胶粉末放入石墨坩埚中；(二)将坩埚放入气氛烧结炉中并抽真空；(三)向气氛烧结炉中充入氩气使炉内氩气压强达到0.1～2.0MPa；(四)加热并保持温度；(五)随炉冷却至室温，得到超长SiC纳米纤维。本发明制备的SiC纳米纤维纯度高，为单晶相，纳米线粗细均匀，直径分布在30～300纳米之间，以50～150纳米为主，长度达到毫米数量级。

公开(公告)号：CN1843515A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610009993.4

申请日：2006-04-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王静 ,  温广武 ,  孟庆昌 ,  李慕勤 ,  孟祥才

IPC: A61L27/40 ,  A61L27/32 ,  A61L27/34

Abstract: 纳米羟基磷灰石/丝素蛋白－壳聚糖复合支架及其制备方法，属于组织工程技术领域。为了解决现有制备支架的方法引进了有毒的有机溶剂损害了材料的生物活性，材料内部结构气孔尺寸小气孔率低，气孔连通性不好，不利于骨细胞的粘附分化增殖生长等缺点，本发明的复合支架的材质由无机材料和有机材料复合而成，无机材料为纳米羟基磷灰石，有机材料为丝素蛋白和壳聚糖，无机材料和有机材料的重量比为50～70∶30～50，丝素蛋白和壳聚糖的重量比为1∶1～2，采用冷冻干燥方法制备上述支架。本发明细胞支架气孔率在75％～90％之间。气孔尺寸为150～500μm，气孔连通性良好，抗压强度为0.85～1.85Mpa之间。

公开(公告)号：CN1266078C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200410044158.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  覃春林

IPC: C04B35/599 ,  C04B35/632 ,  C04B35/622

Abstract: 含氢硅油和Al粉制备的Si-Al-O-N-C陶瓷及其制备方法。它涉及一种用有机聚合物及其活性组分制备的陶瓷及其制备方法。本发明的原料由以下组分按照重量百分比组成：含氢硅油18～55%、胺基化合物43%～70%、Al粉2～22%；本发明的制备方法包括以下步骤：a、按重量百分比取含氢硅油18～55%、胺基化合物43～70%、Al粉2～22%进行混合，在温度为0～100℃之间搅拌8～12小时，反应形成Si-Al-O-N-C有机聚合物；b、将上一步骤中得到的产物在热压烧结炉中通入0.5～1个大气压的氮气并加压15～20MPa，或在气氛压力烧结炉中通入5～12个大气压的氮气，烧结温度为1600～1750℃，保温1～2小时，烧结成Si-Al-O-N-C陶瓷。本发明的Si-Al-O-N-C陶瓷具有比强度高，生产成本低等优点。

公开(公告)号：CN1724453A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510010085.2

申请日：2005-06-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  白宏伟 ,  韩兆祥

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C03B32/02

Abstract: 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50％，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。

公开(公告)号：CN1644564A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410044158.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  覃春林

IPC: C04B35/599 ,  C04B35/632 ,  C04B35/622

Abstract: 含氢硅油和Al粉制备的SiAlONC陶瓷及其制备方法。它涉及一种用有机聚合物及其活性组分制备的陶瓷及其制备方法。本发明由以下组分按照重量百分比组成：含氢硅油18～55％、胺基化合物43％～70％、Al粉2～22％；本发明的制备方法包括以下步骤：a.按重量百分比取含氢硅油18～55％、胺基化合物43～70％、Al粉2～22％进行混合，在温度为0～100℃之间搅拌8～12小时，反应形成Si－Al－O－N－C有机聚合物；b.将有机聚合物在热压烧结炉中通入0.5～1个大气压的氮气并加压15～20MPa，或在气氛压力烧结炉中通入5～12个大气压的氮气，烧结温度为1600～1750℃，保温1～2小时，烧结成Si－Al－O－N－C陶瓷。本发明的SiAlONC陶瓷具有比强度高，生产成本等优点。