一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN112064111B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202010830589.3

    申请日:2020-08-18

    Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域,尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法,该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元,壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室,上腔室内设有微波等离子体;本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降,金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中,掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜,抑制金刚石圆片的轴向生长,使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长,从而生长出大直径金刚石圆片;并且根据直径检测单元的反馈,随着金刚石圆片直径生长变大,升降式旋转支架逐步降低,维持金刚石圆片的顶部高度不变,以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。

    柔性软排线电镀方法
    162.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112951509A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110102600.9

    申请日:2021-01-26

    Abstract: 本发明涉及柔性软排线电镀领域,特别是涉及一种柔性软排线电镀方法,包括如下步骤:准备金属箔;贴合软导电丝;贴合柔性软排线;压实金属箔;电镀处理;分离处理。本发明提供一种柔性软排线电镀方法,使柔性软排线的镀层结晶更细致、均匀、致密,可以达到更好的防护效果。

    虚拟视点合成方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN112929628A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110172711.7

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 本发明实施例提供一种虚拟视点合成方法、装置、电子设备及存储介质;方法包括:根据当前帧参考视点纹理图与前一帧参考视点纹理图,确定第一动静标记图;将第一动静标记图转换为第二动静标记图;根据第二动静标记图,对不属于动态区域的像素在当前帧虚拟视点深度图中的深度值进行修正,得到优化后的当前帧虚拟视点深度图;根据当前帧参考视点纹理图以及优化后的当前帧虚拟视点深度图,生成当前帧虚拟视点纹理图。本发明通过当前帧参考视点纹理图与前一帧参考视点纹理图确定虚拟视点纹理图中的静态区域,然后对属于静态区域的像素的深度值进行修正,保证了虚拟视点纹理图的时域一致性。

    基于可见光通信系统的数据传输方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN112422186A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011250442.3

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本申请提供基于可见光通信系统的数据传输方法,应用于通信领域,解决LED非线性失真的问题,该方法包括:将原始数据信号串/并转换得到并行信号数据,将并行信号数据调制处理成具有厄密特共轭Hermitian对称形式的信号,该信号经过IFFT变换后加CP循环前缀形成M个第二信号子块,对第二信号子块进行并/串转换后得到M个串行信号数据,对M个串行信号数据进行部分线性压扩变换,得到M个压缩信号,将M个压缩信号进行D/A数模转换,得到M个模拟信号,在M个模拟信号上叠加最优直流偏置信号,得M个单极性信号,将M个单极性信号转换成DCO‑OFDM光信号,通过可见光信道发送给数据接收端,降低可见光通信系统中LED非线性失真的影响,提高系统通信性能。

    用于氮化物材料外延的高导热衬底的制备方法

    公开(公告)号:CN112201567A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011023502.8

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域,尤指一种用于氮化物材料外延的高导热衬底的制备方法,包括选用基础衬底的材料,并对基础衬底进行预处理;在基础衬底上沉积一层金刚石导热层;对基础衬底背向金刚石导热层的一面进行抛光减薄,最终获得复合层衬底。本发明主要是利用高导热比的金刚石材料与传统氮化物外延衬底结合实现高导热衬底,其中基础衬底起到氮化物成核功能层的作用,金刚石导热层起到导热的作用,能解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题,使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态,提高其可靠性及性能。

    高散热的GaN单晶衬底及其制备方法

    公开(公告)号:CN112164976A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202011053836.X

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域,尤指一种高散热的GaN单晶衬底及其制备方法,该高散热的GaN单晶衬底,包括自上而下依次层叠的GaN单晶层、基底和金刚石层,基底内部贯穿有若干个嵌孔,金刚石层部分延伸嵌入嵌孔并与GaN单晶层接触;其制备方法为在基底上制造出若干个嵌孔,形成嵌孔面;在嵌孔面沉积一层金刚石层;对基底背离嵌孔面的一面进行减薄并外延GaN单晶层,即得高散热的GaN单晶衬底。本发明将GaN单晶材料通过基底的嵌孔与高散热的金刚石材料连通,提高了衬底的散热能力,同时有效释放了异质衬底与GaN外延间的应力产生,解决了大功率高电流密度器件工作时的热量传导以及由此而导致的性能退化与稳定性问题。

    氮化物材料的制备方法及氮化物材料

    公开(公告)号:CN111816550A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010630174.1

    申请日:2020-07-03

    Abstract: 本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料,氮化物材料的制备方法,包括以下步骤:提供衬底,在衬底的表面沉积氮化物,形成氮化物薄膜;采用离子注入方法,在氮化物薄膜中形成离子注入层,离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜,第一氮化物膜附着于衬底上,第二氮化物膜远离衬底;在第二氮化物膜的表面沉积功能材料,形成功能材料层;自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单,可操作性强,无需激光处理,不受功能材料的尺寸限制,利于在工业中应用。

    帧间预测的滤波方法、电子设备及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN111083474A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911222507.0

    申请日:2019-12-03

    Abstract: 本发明提供一种帧间预测的滤波方法、电子设备及计算机可读存储介质,该帧间预测的滤波方法包括:确定当前图像块的预测块的目标滤波处理方式;其中,所述预测块是通过帧间预测得到,所述目标滤波处理方式为N种滤波处理方式中率失真代价最小的一种,所述N为大于或等于3的整数;利用所述目标滤波处理方式,对所述预测块进行处理。本发明的方案,借助选取率失真代价最小的目标滤波处理方式对预测块进行处理,可以有效去除帧间预测得到的预测块中的噪声及边界不连续性,从而得到更准确的预测结果。

    一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN111074345A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN202010033316.6

    申请日:2020-01-13

    Abstract: 本发明涉及金刚石制备技术领域,具体涉及一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法,本发明的大颗粒金刚石的制备装置包括生长腔室、样品托和微波单元,样品托装设于生长腔室内,微波单元与生长腔室连接,还包括工艺气体单元和旋转调节单元,工艺气体单元与生长腔室连通,旋转调节单元与样品托连接,样品托设有用于放置金刚石样品的凹槽,凹槽内侧设为弧面型,本发明通过旋转调节单元调整样品托变速转动,球形金刚石籽晶在旋转调节单元的带动下,在样品托的凹槽内受控滚动,金刚石晶体可以在三维方向均衡生长,从而制备出高质量的大颗粒金刚石;本发明的制备方法,其工艺简单,制备效率高,且制得的大颗粒金刚石质量好,满足工业化的生产制造。

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