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公开(公告)号：CN100389508C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200410101832.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN100376683C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510011180.4
申请日：2005-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种微型聚合酶链式反应(PCR)芯片系统及其制备方法，涉及生物微机电系统技术领域。该PCR芯片包括若干个用于DNA扩增的阱式反应池，反应池通过若干流道与进出液口连接。在芯片上集成微加热器和微传感器，通过温度循环控制系统进行DNA扩增。可以在该芯片上设置微泵，在反应池入口处设置微阀，用于DNA引物的导入及反应池间的隔离。也可以在上述系统中设置荧光激发光源、荧光探测装置及荧光信号检测分析系统进行PCR产物的荧光在位检测。采用MEMS技术加工技术或微模型制备该芯片系统，该生物芯片系统提供了高通量和快速的DNA扩增手段，并具有便于携带、成本低和性能可靠的优点。
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公开(公告)号：CN100356071C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410009702.2
申请日：2004-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: F04F5/00
Abstract: 本发明提供了一种微型射流泵及其制备方法，泵体包括驱动结构和抽吸结构，驱动结构是由射流喷嘴和与之相连的驱动腔组成，驱动腔上设有驱动流体人口孔，抽吸结构包括抽吸入口端、抽吸流道和扩散出口，射流喷嘴位于扩散出口处，抽吸流道设在射流喷嘴的两侧，高压驱动气体或液体经过驱动流体人口孔进入驱动腔，在射流喷嘴出口处产生高速射流，同时在其边界处产生涡旋，涡旋卷吸抽吸流道内的流体进入射流，两种不同流速的混合流体共同流入扩散出口。微型射流泵的制备利用MEMS工艺设计，通过两张光刻版就可以实现，泵体材料的可选择范围大、易于和大多数微流体系统集成。
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公开(公告)号：CN1844681A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510011534.5
申请日：2005-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: F04F9/00
Abstract: 本发明提供了一种微型扩散泵及其制备方法，微型扩散泵主要包括：泵腔室、单向阀、泵入口、泵出口及泵腔室内的驱动结构，单向阀分别位于泵腔室与泵入口之间和泵腔室与泵出口之间，单向阀为正反向流量不同的楔形扩散管，泵腔室内流体在一定驱动方式下膨胀和收缩产生压力差，依据流体在楔形扩散管内的正反流压力不同的性质，在泵体内产生单向连续输运流体的作用。本发明提供的微型扩散泵可采用抽吸气体而驱动液体和直接驱动液体两种工作方式。微型扩散泵的制备基于硅微机械加工技术及微模型技术，制备工艺简单、加工成本低、可靠性好、易于与大多数微流体系统集成，在微流控分析芯片领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1266757C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03100303.6
申请日：2003-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法，其技术方案为：1)形成隔离槽：采用深槽刻蚀，SiO2和多晶硅填充，实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘；2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路的加工；3)用SiO2和Si3N4作掩膜，从背面腐蚀硅，直至暴露出隔离槽底部的SiO2，完成MEMS硅结构层的厚度控制；4)完成CMOS电路金属化和MEMS结构掩膜：MEMS结构区用铝作掩膜，CMOS电路区用厚光刻胶作掩膜，用DRIE释放硅结构。用本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且用本发明较高的深宽比制作出的结构电容，同时实现了体硅微机械与CMOS电路的集成，显著提高MEMS传感器的精度和稳定性，具有前沿性和重要实用价值。
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公开(公告)号：CN1683586A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410033637.7
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化锡纳米敏感薄膜制备方法，属于气敏传感器的敏感材料制备领域。本发明采用磁控反应溅射方法使金属锡氧化，在硅片上生成锡的纳米量级氧化物薄膜，再进一步氧化、退火，即可制造出纳米晶粒氧化锡薄膜，该氧化锡纳米敏感薄膜具有氧化锡颗粒度小，比表面积大，厚度均匀(误差在纳米量级)等特点，且表面平整度高，在100倍显微镜下观察没有裂痕，有利于提高气敏传感器的灵敏度和稳定性，通过溅射时间严格地控制膜厚，可重复性高，适合于批量生产。本发明与集成电路工艺相兼容，污染小，极大地降低气体传感器的生产成本，扩展了传感器的应用领域。
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公开(公告)号：CN1601115A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009702.2
申请日：2004-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: F04F5/00
Abstract: 本发明提供了一种微型射流泵及其制备方法，泵体包括驱动结构和抽吸结构，驱动结构是由射流喷嘴和与之相连的驱动腔组成，驱动腔上设有驱动流体人口孔，抽吸结构包括抽吸入口端、抽吸流道和扩散出口，射流喷嘴位于扩散出口处，抽吸流道设在射流喷嘴的两侧，高压驱动气体或液体经过驱动流体人口孔进入驱动腔，在射流喷嘴出口处产生高速射流，同时在其边界处产生涡旋，涡旋卷吸抽吸流道内的流体进入射流，两种不同流速的混合流体共同流入扩散出口。微型射流泵的制备利用MEMS工艺设计，通过两张光刻版就可以实现，泵体材料的可选择范围大、易于和大多数微流体系统集成。
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公开(公告)号：CN1599250A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上级板和上级板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上级板和上级板驱动金属板相对应的开关下级板和下级板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
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