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公开(公告)号：CN102127180B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110020222.6
申请日：2007-02-05
Applicant: 大金工业株式会社 , 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: H01M8/1025 , C08F8/12 , C08F8/22 , C08F214/26 , C08F214/262 , C08F2800/10 , C08F2810/50 , C08J5/2237 , C08J2327/18 , H01B1/122 , H01M8/1039 , H01M8/1067 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082 , Y02P70/56 , C08F2216/1475 , C08F8/06 , C08F8/44
Abstract: 本发明涉及含有-SO3H基的含氟聚合物的制造方法和含有-SO3H基的含氟聚合物，提供一种能够在温和条件下对不稳定末端基团充分进行稳定化的新颖的制造方法。本发明的含有-SO3H基的含氟聚合物的制造方法的特征在于，其包括按照叙述顺序对具有包含-SO2X基(X表示F或Cl)的单体单元的待处理含氟聚合物进行至少下述工序A、工序B和工序C的操作。其中，A：使卤化剂发挥作用的工序；B：使分解处理剂发挥作用的工序；C：使氟化剂发挥作用的工序。
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公开(公告)号：CN101348538B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810108928.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 旭化成电子材料株式会社 , 大金工业株式会社
IPC: C08F214/26 , C08F216/12 , C08F2/22 , C08J5/18 , H01M4/86 , H01M8/02
Abstract: 本发明提供稳定的含氟聚合物及其制造方法，所述制造方法是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有-SO3M(M表示H、NR1R2R3R4或M11/L，R1、R2、R3和R4可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M1表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中，水分所占的质量比小于等于500ppm。
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公开(公告)号：CN101379095B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780004237.5
申请日：2007-02-05
Applicant: 大金工业株式会社 , 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: H01M8/1025 , C08F8/12 , C08F8/22 , C08F214/26 , C08F214/262 , C08F2800/10 , C08F2810/50 , C08J5/2237 , C08J2327/18 , H01B1/122 , H01M8/1039 , H01M8/1067 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082 , Y02P70/56 , C08F2216/1475 , C08F8/06 , C08F8/44
Abstract: 本发明涉及含有-SO3H基的含氟聚合物的制造方法和含有-SO3H基的含氟聚合物，提供一种能够在温和条件下对不稳定末端基团充分进行稳定化的新颖的制造方法。本发明的含有-SO3H基的含氟聚合物的制造方法的特征在于，其包括按照叙述顺序对具有包含-SO2X基(X表示F或Cl)的单体单元的待处理含氟聚合物进行至少下述工序A、工序B和工序C的操作。其中，A：使卤化剂发挥作用的工序；B：使分解处理剂发挥作用的工序；C：使氟化剂发挥作用的工序。
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公开(公告)号：CN1849345B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200480026107.8
申请日：2004-09-10
Applicant: 旭化成电子材料株式会社 , 大金工业株式会社
Abstract: 本发明提供稳定的含氟聚合物的制造方法，其是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有-SO3M(M表示H、NR1R2R3R4或M11/L，R1、R2、R3和R4可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M1表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中，水分所占的质量比小于等于500ppm。
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