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公开(公告)号：CN103608872A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029923.9
申请日：2012-06-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2255/205 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2551/00 , C23C14/086 , C23C14/3492 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H05K3/46 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明的目的在于，抑制在透明导电层上形成有金属层的导电性层叠体中通过蚀刻而去除金属层时的透明导电层的电阻的升高。导电性层叠体在透明基材（1）的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体（2）和金属层（3）。在透明导电性薄膜层叠体（2）中，最接近金属层（3）的第一透明导电性薄膜（21）为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜（22）为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层。第一透明导电性薄膜（21）中的杂质金属的含有比例在构成前述透明导电性薄膜层叠体（2）的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之中不为最大，由此可解决上述课题。
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公开(公告)号：CN103578609A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310346726.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , B32B7/12 , B32B9/00 , B32B15/04 , B32B15/20 , B32B27/06 , B32B27/325 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2307/202 , B32B2457/00 , B32B2457/208 , C22C9/00 , C22C14/00 , C22C32/001 , C23C14/086 , C23C14/562 , Y10T428/24959 , Y10T428/24967 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种导电性膜，是宽度方向的表面电阻值的偏差少，膜特性良好的导电性膜。导电性膜（1），顺次具有长条状膜基材（2），铟系氧化物层（3），金属层（4），氧化金属层（5）。长条状膜基材（2），具有长度方向和与之垂直的宽度方向，该长条状膜基材的宽度方向尺寸为1m以上。氧化金属层（5），是溅射成膜的厚度1nm～15nm的层。
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公开(公告)号：CN203217965U
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201320001397.7
申请日：2013-01-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本实用新型涉及一种导电性膜及导电性膜卷。提供一种导电性膜，所述导电性膜在卷成卷状时邻接的膜没有压接而能够维持高品质。导电性膜（1）具备膜基材（2），形成在该膜基材的一侧的第1透明导电体层（3），形成在第1透明导电体层（3）的与膜基材（2）相反侧的第1铜层（4），形成在膜基材（2）的另一侧的第2透明导电体层（5），形成在第2透明导电体层（5）的与膜基材（2）相反侧的第2铜层（6），形成在第1铜层（4）的与第1透明导电体层（3）相反侧、厚度为1nm～15nm的第1氧化被膜层（7），第1氧化被膜层（7）实质上仅由氧化亚铜构成。导电性膜卷是将所述的导电性膜（1）卷成卷状而构成的。
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