一种基站流量预测方法及相关设备
    151.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116744325A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202210210062.X

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明提供一种基站流量预测方法及相关设备,涉及通信领域,其中,所述基站流量预测方法包括:根据基站之间的地理距离信息,确定待预测基站的临近基站;确定临近基站中的邻居基站,邻居基站的历史流量记录与待预测基站的历史流量记录之间存在因果关系;对待预测基站与邻居基站的历史流量记录进行特征提取,得到特征数据;根据特征数据预测待预测基站的预测流量。本发明实施例,在特征数据对象的筛选过程中,充分考虑空间因素避免了特征数据选择的单一性,同时还充分考虑基站流量之间的因果联系,从而避免特征数据选择的盲目性,减少冗余特征干扰,提高特征选择的有效性,从而提高基站流量预测精度和效率。

    数据预测方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品

    公开(公告)号:CN116502720A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202210053238.5

    申请日:2022-01-18

    Abstract: 本申请公开了一种数据预测方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品,涉及人工智能和数据处理技术领域。本申请实施例可应用于地图、交通等领域,所述方法包括:获取用于表征不同地区中普遍存在的因果知识的普适因果图,因果知识用于表征不同区域属性之间的因果关联;基于普适因果图和目标地区的观测数据,获取目标地区中各个区域分别对应的全量区域属性,该全量区域属性包括未观测到的区域属性;基于目标地区中各个区域分别对应的全量区域属性,获取目标地区中各个区域之间的对象流动预测值。本申请解决了某些地区因缺少观测数据而造成的对象流动预测不准确的问题,提高了对象流动的预测准确性。

    一种内容项推荐模型的训练方法、内容项推荐方法及装置

    公开(公告)号:CN116361551A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310256862.X

    申请日:2023-03-08

    Abstract: 本公开提供了一种内容项推荐模型的训练方法、内容项推荐方法及装置,属于计算机技术领域。方法包括:基于样本训练数据,对基于有标签的样本预训练数据预训练得到的内容项推荐模型进行无监督训练,得到所述样本训练数据的反向加权损失;基于所述反向加权损失的正向梯度和反向梯度,对所述内容项推荐模型分别进行更新,得到第一临时模型和第二临时模型;基于样本测试数据和所述样本测试数据的标签信息,对所述内容项推荐模型、所述第一临时模型以及所述第二临时模型进行训练,得到目标推荐模型。该方法能够提高内容项推荐模型的推荐内容项的准确性,提升内容项推荐模型的鲁棒性。

    指标预测方法、装置、设备、存储介质及程序产品

    公开(公告)号:CN115761519A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211153765.X

    申请日:2022-09-21

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 李桐 李勇 金德鹏

    Abstract: 本发明涉及城市计算技术领域,尤其涉及一种指标预测方法、装置、设备、存储介质及程序产品。方法包括:获取目标区域的街道网络图数据,其中,所述街道网络图数据包括至少一个街道节点;获取所述目标区域对应的至少一张卫星图像,其中,每一张所述卫星图像包括至少一个所述街道节点;获取所述目标区域对应的至少一张街景图像,其中,每一张所述街景图像对应一个所述街道节点;基于每一个所述街道节点分别对应的所述卫星图像和所述街景图像,计算每一个预设指标标签分别对应的指标预测概率。本发明用以解决现有技术中对图像分析处理的效果较差,通过图像获得的信息准确性较低的缺陷,提升对图像处理的效果。

    一种电解加工用的可编程硅电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN114054872B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202110606751.8

    申请日:2021-06-01

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于特种加工技术领域,涉及一种电解加工用的可编程硅电极及其制备方法。本发明的可编程硅电极由由重掺杂硅基体、绝缘层、外部隔离层、中间隔离层、导电单元阵列、连接线、导电引出阵列和电极供电端组成。利用电极侧壁面分布的辅助电极单元作为电极使用,可以直接对孔的侧壁进行加工;通过改变辅助电极单元的通电控制,在线对加工的变截面孔的内部形状进行在线编程控制,使得该电极可以面向多种具有不同内部形状的变截面孔加工。本发明的制备方法,通过刻蚀、沉积工艺得到电极基体、检测单元和绝缘层,工艺较成熟,因此具有大批量制作的应用潜力。

    一种涡轮叶片气膜孔自适应定位方法

    公开(公告)号:CN111958074B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202010668094.5

    申请日:2020-07-13

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 佟浩 李勇 曹培尧

    Abstract: 本发明公开了一种涡轮叶片气膜孔自适应定位方法,所述涡轮叶片气膜孔自适应定位方法包括:设定气膜孔加工机床的理想工件坐标系,根据重建几何模型获取涡轮叶片的真实工件坐标系,调整真实工件坐标系与理想工件坐标系重合,得出重建附壁倾角和涡轮叶片在设计模型中气膜孔的附壁倾角误差,根据附壁倾角误差驱动气膜孔加工机床的数控系统定位。根据本发明的涡轮叶片气膜孔自适应定位方法,通过获取实现真实涡轮叶片的气膜孔的空间位置误差补偿和气膜孔局部空间位置的附壁倾角误差补偿,由数控系统自动化实现自适应定位,补偿了宏观上气膜孔定位误差和每个气膜孔倾角误差,提高了真实涡轮叶片气膜孔加工精度,改善了真实涡轮叶片气膜冷却效果。

    活动轨迹的生成方法、装置、设备和存储介质

    公开(公告)号:CN115358141A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210894237.3

    申请日:2022-07-27

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 李勇 苑苑 金德鹏

    Abstract: 本发明实施例提供一种活动轨迹的生成方法、装置、设备和存储介质,该方法包括:获取用户历史活动轨迹数据;根据历史活动轨迹数据和时空动态模型,获取历史活动轨迹数据的时间动态性特征和空间动态性特征;根据历史活动轨迹数据的时间动态性特征、空间动态性特征和训练得到的轨迹生成模型,生成预期的活动轨迹。本发明实施例的方法,建模了用户活动轨迹序列在连续时间层面上的时空动态性,进而使得轨迹生成模型根据历史轨迹的时间动态性特征和空间动态性特征就可以准确地模拟用户的活动轨迹,提高了仿真生成的活动轨迹的准确性。

    通行时间预测模型训练方法、通行时间预测方法及设备

    公开(公告)号:CN113762595B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202110845562.6

    申请日:2021-07-26

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 颜欢 李勇 金德鹏

    Abstract: 本发明提供一种通行时间预测模型训练方法、通行时间预测方法及设备,该训练方法包括:构建路口和路段特征及轨迹特征;获取路段特征向量及路口特征向量;将对应于各个预设时间步长的路口特征矩阵、路段特征矩阵、路口邻接矩阵及路段邻接矩阵按照时序顺序输入到路口和路段时空特征提取网络;将输出的更新后的单个预设时间步长对应的路口特征矩阵和路段特征矩阵、历史轨迹中路口和路段组成的序列输入到通行时间预测模型,输出未来预设步长时间内出发的路线的目标通行时间的预测结果进行训练。本发明提供的通行时间预测模型训练方法、通行时间预测方法及设备,通过联合建模路口和路段的特征,训练通行时间预测模型,提升通行时间预测的准确度。

    一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN113649657B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202110606852.5

    申请日:2021-06-01

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于特种加工技术领域,尤其涉及一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法。本发明采用MEMS领域中的沉积工艺,在图形化牺牲层上沉积尺寸为几十‑几百纳米的图形化多晶硅层,然后对图形化多晶硅层进行掺杂,将图形化牺牲层去除后得到用于纳米电解加工的工具电极。本方法制备的多晶硅工具电极,由于硅材料硬度高,刚度大,在微细尺寸下可以保证不发生形变,加工精度优于金属电极。本发明的晶硅工具电极,加工过程成本低,可重复性好,在微加工领域具有广阔的应用前景。本方法涉及的硅微细加工工艺已经相当成熟,可以进一步缩小工具电极的特征尺寸;通过刻蚀工艺在硅片上得到电解加工用的纳米工具电极,具有大批量制作的应用潜力。

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