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公开(公告)号：CN101353356A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810137159.2
申请日：2008-09-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F7/18
Abstract: 直接合成三烷氧基硅烷的方法，它涉及一种三烷氧基硅烷的制备方法。它解决了目前合成三烷氧基硅烷的直接法中硅铜混合物在反应前需进行预处理活化，而预处理活化都是在高温、惰性气氛下活化1～5h，不仅处理时间长、操作复杂，而且能耗大、转化率和选择性低，以及现有直接法中催化剂催化效能低的问题。合成方法：一、醇提纯、除水；二、硅粉真空干燥；三、将铜系催化剂、助催化剂和真空干燥的硅粉活化；四、将促进剂与经过活化的铜系催化剂、助催化剂和硅粉放入装有高沸点溶剂的反应釜，再通入步骤一提纯的醇反应，即得到三烷氧基硅烷。本发明方法三烷氧基硅烷选择性高达93％～98％，硅粉转化率高达95％～99％。
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公开(公告)号：CN1936107A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610010555.X
申请日：2006-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉，它涉及晶体生长炉。它为了解决现有单晶炉无法观察晶体生长情况，不利于参数的调整，密封性差，氧化铅易挥发外泄有毒气体，给人身健康带来危害的问题。本发明的观察孔(7)设在保温罩(2)的上部外侧与保温罩(2)内腔相连通，保温盖(6)覆盖在观察孔(7)的上方，排气管(8)的底端设在炉体的顶部与炉腔相贯通，滑轮(3)由吊杆(5)吊固在保温罩(2)的上方，提拉绳(4)的一端与保温盖(6)的上平面连接，提拉绳(4)的另一端绕滑轮(3)穿过炉体到炉外。该炉可观察晶体生长的情况，以利调整最佳的钨酸铅晶体生长参数，排气管能将挥发外泄的氧化铅有毒气体排出室外，减少对人身的危害。
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公开(公告)号：CN1306073C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410044154.7
申请日：2004-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管1-2内第一加热线圈4-1的外部设有第二加热线圈4-2，所述第三层石英管1-3同时与传动装置5连接。本发明的生长方法为，第一加热线圈4-1加热后构成基础温区，第二加热线圈4-2加热后构成高温区，原料与籽晶的接触处处于高温区至熔化后，传动装置5带动石英管及其内部的加热线圈向生长船内的“原料”一端移动，原料依次通过高温区熔化后定向凝固，得到晶体。用本发明装置及方法生长的晶体可以定向生长且晶体组成沿生长方向均匀一致，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1648271A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009614.7
申请日：2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C29/00
Abstract: IIB－IVA－VA2黄铜矿类固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类化合物。现在生长的黄铜矿类半导体晶体材料的吸收带边都是固定不可调的，所以限制了这些材料的应用范围。IIB－IVA－VA2黄铜矿类固溶体化合物，在原有黄铜矿类化合物IIB－IVA－VA2中，P、As共同占据上述化学式中VA元素的位置所形成的化合物，该化合物的分子式为IIB－IVA－(PxAs1－x)2，x的取值范围为：0＜X＜1。本发明产品通过调节x的取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边，从而增加了这些材料的应用范围，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN119480880A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411748921.6
申请日：2024-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 一种具有蜂窝状结构的锂离子电池复合材料的制备方法和应用，它涉及锂离子电池负极的制备和应用。它是要解决现有的高比能锂电池中硅材料体积膨胀引起的机械失效、导电性差的技术问题。制备方法：先将植酸溶液加入到溶剂中搅拌，接着加入水继续搅拌，然后加入碳基体，搅拌均匀，得到碳分散液；再将硅烷试剂滴入碳分散液中，静置，得到凝胶；最后将凝胶烧结，得到具有蜂窝状结构的锂离子电池复合材料。该材料制备的负极组装的半电池在电压区间为0.01V～3V、电流密度为2Ag‑1下的初始容量为339～423mAh g‑1，循环500圈后的容量保持率为87％～95.4％，可用于锂电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119081696A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411188531.8
申请日：2024-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种稀土掺杂氟化物纳米晶体表面结构重构的方法，它涉及对纳米晶体表面结构重构的方法，它是要解决现有的消除纳米晶体表面晶格缺陷的方法会增加晶体尺寸、工艺复杂的技术问题，本发明的方法是以油酸和1‑十八烯的混合溶液为溶剂，以含钇、镥、钆、镧等惰性稀土离子的可溶性盐为溶质，配制前驱体溶液；将稀土掺杂氟化物纳米晶体放入前驱体溶液中高温处理，稀土离子填充纳米晶体的阳离子空位，消除表面晶格缺陷，在不改变纳米晶体尺寸的情况下，实现稀土离子发光的增强。可用于晶体发光领域及生物成像领域。
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公开(公告)号：CN118198845B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410365577.6
申请日：2024-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种等离子激元共振增强的稀土掺杂微纳激光器及其构筑方法，它涉及微纳激光器及其构筑方法。它是要解决现有的微纳激光器对泵浦光源以及运行环境的限制苛刻的问题。本发明的微纳激光器是以β‑NaYF4:20Yb,2Er@NaYF4纳米晶和聚乙烯亚胺修饰纳米金颗粒为增益介质、以聚苯乙烯微球为谐振腔、增益介质负载在聚苯乙烯微球表面的微纳激光器；制法：先制备纳米晶并去除油酸配体，再将纳米晶和纳米金颗粒与回音壁式谐振腔耦合，得到微纳激光器。它通过对激活剂离子的交叉弛豫控制能量传递途径，达到551nm处的能量富集，并通过谐振腔的共振达到低阈值激光输出，可用于芯片光互联、集成光路、微型器件、化学检测和生物传感领域。
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公开(公告)号：CN118406495B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410527831.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉、其制备方法及LED器件的制备方法，它涉及近红外发光材料领域。它是要解决现有的双钙钛矿近红外量子产率低的技术问题。本发明的增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉的化学式为Cs2NaTbCl6:x％Yb,y％Sb，其中0＜x≤15，0＜y≤15。制法：向含有铯源、钠源、铽源、锑源和镱源的反应容器中注射三甲基氯硅烷进行反应，分离、干燥，得到荧光粉。将该荧光粉与聚苯乙烯制成胶状物，再负载于商用340nm紫外芯片上干燥，得到LED器件。该荧光粉在紫外光激发下分别产生Tb和Yb的特征发射，总量子产率可达155％，产生可见‑近红外发射，可用于食品、安防、生物和医疗领域。
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公开(公告)号：CN118406495A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410527831.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉、其制备方法及LED器件的制备方法，它涉及近红外发光材料领域。它是要解决现有的双钙钛矿近红外量子产率低的技术问题。本发明的增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉的化学式为Cs2NaTbCl6:x％Yb,y％Sb，其中0＜x≤15，0＜y≤15。制法：向含有铯源、钠源、铽源、锑源和镱源的反应容器中注射三甲基氯硅烷进行反应，分离、干燥，得到荧光粉。将该荧光粉与聚苯乙烯制成胶状物，再负载于商用340nm紫外芯片上干燥，得到LED器件。该荧光粉在紫外光激发下分别产生Tb和Yb的特征发射，总量子产率可达155％，产生可见‑近红外发射，可用于食品、安防、生物和医疗领域。
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公开(公告)号：CN117025211B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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