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公开(公告)号：CN115148311A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778284.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种两组分二维材料非线性光学性质的模拟计算方法，包括：构建六方蓝磷晶胞，并将其中一个磷原子替换为氮原子或砷原子，得到PN体系或PAs体系，对其进行优化；采用QE软件进行一轮非自洽计算，获得PBE近似下的电子带隙；进行GW‑BSE计算，获得光学带隙信息，并得到非线性性质计算所需要的能带修正值；利用Elk软件包，引入能带修正值，计算得到体系的二阶非线性非0响应光谱的所有分量。本发明提供的两组分二维材料非线性光学性质的模拟计算方法能够在不低估带隙的情况下准确的计算得到体系的二阶非线性光学性质，且计算成本较低，计算效率较高。
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公开(公告)号：CN115146559A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762679.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取收敛的单个入射粒子辐照器件产生PKA的数量；对器件进行网格化处理，得到多个含有PKA的网格；构建与网格等大小的体系模型；标定注量的入射粒子分批次辐照器件，基于体系模型，利用分子动力学方法和KMC方法对网格中的PKA进行缺陷演化；统计每个网格中缺陷的种类和数量并归入器件中，改变入射粒子的注量，重复上述步骤，获得不同注量入射粒子与器件中缺陷信息之间的关系。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
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公开(公告)号：CN115146384A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210769915.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15
Abstract: 本发明提供了一种批量添加辐射探测点的方法，属于空间辐射分析技术领域。方法包括：S1、构建航天器三维模型，选取目标单机所属的几何体，将几何体内部器件删除；S2、构建几何体的包围盒，设定期望添加的探测点的数量；S3、获取包围盒的体积，计算每个探测点占据的体积，S4、将每个探测点占据的体积等效为正方体，计算每个探测点所属正方体的边长，计算包围盒某一边长实际应添加的探测点的数量；S5、计算每个实际应添加的探测点的坐标位置，批量添加探测点。本发明实现了依据几何体结构批量均匀添加辐射探测点的效果，避免了手动逐个定位、按坐标添加探测点的弊端，满足了设计阶段早期估计目标单机内部辐射效应三维分布的需求。
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公开(公告)号：CN115064229A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210762584.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
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公开(公告)号：CN111360255B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010208457.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/105 , B22F3/24 , B23H1/00 , B23H5/00 , B23H9/06 , B23H11/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明提供了一种导电材料一体化加工系统及加工方法，该导电材料一体化加工系统包括驱动装置、控制装置和均能导电的引导装置和刻蚀装置；所述驱动装置包括能导电的工作台。本发明中，所述控制装置用于，当所述工作台或者已在所述工作台上成型的导电材料连接脉冲电源的负极，且所述引导装置连接所述脉冲电源的正极时，控制所述驱动装置带动所述引导装置移动，以使伸出所述引导装置的所述导电材料熔化并沉积到所述工作台的成型区上；以及，当由所述导电材料在所述工作台上成型的毛坯连接所述脉冲电源的正极，且所述刻蚀装置连接所述脉冲电源的负极时，控制所述驱动装置带动所述刻蚀装置移动，以使所述刻蚀装置对所述毛坯进行减材加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108304666B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。
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公开(公告)号：CN111863607A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735238.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
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公开(公告)号：CN111856237A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735729.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：对半导体材料施加连续的脉冲同步信号；获取所述半导体材料的瞬态电容变化波形；根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料的指数深能级瞬态谱。本发明相对于率窗等抽样算法、傅里叶等统计算法，直接采用波形数据进行计算，而非估算的结果，可靠性更强，同时利用指数拟合的方法，还原瞬态电容变化波形的特征，寻找最优拟合结果，测试结果更为准确。
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公开(公告)号：CN111856164A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735718.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择P型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备N型外延层；S300、在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；S400、在外延层上生长氧化层；S500、对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；S600、将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置，检测栅极处的空穴电流；S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态。本发明基于MOS场效应管制备工艺，在N型半导体材料衬底上形成正电荷测试结构，并通过调置不同电极之间的电压，快速检测正电荷状态，达到高效高灵敏度检测氧化层中正电荷的目的。
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公开(公告)号：CN111855705A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735200.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、选择半导体材料制备成衬底；S200、在所述衬底的上表面制备背面电极；S300、在所述背面电极上生长氧化物层；S400、对所述氧化物层的一边进行刻蚀，刻蚀部位漏出所述背面电极；S500、在所述氧化物层的上表面制备正面电极；S600、在所述正面电极上开设多个沟槽，所述多个沟槽呈网格状分布，制得测试样品；S700、对所述测试样品开展辐照试验，检测辐射诱导缺陷。通过本发明的检测方法，可以在氧化物层制备特定的缺陷检测结构，实现电子和空穴快速鉴定与检测，达到高效高灵敏度检测与判定氧化物层中辐射诱导缺陷的目的。
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