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公开(公告)号：CN105839165B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610245925.1
申请日：2016-04-20
Applicant: 深圳八六三计划材料表面技术研发中心 , 深圳市通产丽星股份有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C25D11/34 , C23C8/22 , C23C8/26 , C23C8/32 , C23C8/38 , C23C8/46 , C23C8/50 , C23C8/56 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开一种奥氏体不锈钢及提高硬度和耐蚀性的处理方法，处理方法，包括步骤：A、对奥氏体不锈钢工件进行渗氮、渗碳或氮碳共渗处理形成渗层；B、在电解液中对奥氏体不锈钢工件进行等离子体电化学处理，对渗层进行抛光的同时形成致密氧化层；C、然后对奥氏体不锈钢工件进行清洗和烘干。本发明采用等离子体电化学工艺对奥氏体不锈钢表面的渗层进行后处理，去除表面易腐蚀层的同时在渗层表面形成一层抗腐蚀的致密氧化层，从而同时提高了工件的硬度和耐蚀性，并且本发明的工艺具有处理速度快，工艺简单的特点，适合于大规模推广使用。
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公开(公告)号：CN107335879A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710472517.4
申请日：2017-06-21
Applicant: 深圳市汉尔信电子科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种面阵列的封装方法，其中，包括通过熔融锡将面阵列封装用的单相Cu6Sn5焊球与焊盘连接起来的；本发明采用单相Cu6Sn5球形粉末作为焊球，在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的，焊球的高度基本不发生变化，连接过程耗时短，参与反应的Sn量比较少，冷却比较均匀，产生的应力比较小，此外，Cu6Sn5焊球能提高焊点的抗电迁移性能以及抗高温性能，完成互连后焊球形状不发生明显变化；而且在进行封装时，所用的阵列不需镀上Ni层和和Au层，大大提高了制备阵列的效率，降低成本，节约资源。
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公开(公告)号：CN106674569A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611129271.2
申请日：2016-12-09
Applicant: 深圳八六三计划材料表面技术研发中心 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C08J7/04 , C09D175/14 , C09D7/12 , C08L67/04
CPC classification number: C08J7/042 , C08J2367/04 , C08J2475/14 , C08L2201/10 , C08L2201/14 , C08L2203/16 , C08L2205/02 , C08L2205/025 , C08L2205/035 , C09D7/62 , C09D175/14 , C08L75/04 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08L75/14
Abstract: 本发明公开一种PLA环保复合膜及其制备方法，其中，PLA环保复合膜包括聚乳酸基材和设置在聚乳酸基材上表面和下表面的石墨烯阻隔层。本发明的PLA环保复合膜包括芯层和外层，芯层为聚乳酸基材，外层为石墨烯阻隔层。该PLA环保复合膜的阻隔性能优异，尤其是对水、氧气的阻隔性能较佳。同时，本发明的PLA环保复合膜，绿色环保、透明度高、表面光泽度高、表面可印刷、美观度优异，适用于高阻隔要求的食品、药品、电子器件等的包装。
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公开(公告)号：CN106003938A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610342703.1
申请日：2016-05-23
Applicant: 深圳八六三计划材料表面技术研发中心 , 深圳市通产丽星股份有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种高阻隔性聚烯烃纳米复合薄膜及其制备方法。其中，所述高阻隔性聚烯烃纳米复合薄膜包括基材、设置在基材表面的纳米阻隔层、设置在纳米阻隔层表面的表面层；所述基材和表面层均为聚烯烃薄膜；所述纳米阻隔层为添加了功能性纳米材料的光固化涂层。本发明所提供的复合薄膜可用于食品、药品、电子电气、化工产品的密封包装，也可以用于气体、液体和固体的密封保存，这种高阻隔性聚烯烃纳米复合薄膜的气体、液体、固体的泄漏率相对于其他密封膜大大降低。
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公开(公告)号：CN103170723B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310071412.X
申请日：2013-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种大气环境下快速原位生成同质相或近似同质相的氧化铝陶瓷的连接方法，属于陶瓷-陶瓷或陶瓷-金属连接领域。本发明可在大气环境下实现接头快速润湿，极大缓和复合相结构的接头内应力，同时强化接头并提高使用温度。相比其它陶瓷连接方法，该方法能获得接头连接界面具有高密封性（接头接合率≥95％）、高强度（70～90MPa）、宽服役温度范围的优异性能，因此尤其适用于需要长时间真空耐压密封、高服役温度、高强度及高耐腐蚀性能的氧化铝陶瓷-氧化铝陶瓷及氧化铝陶瓷-金属（铝、铜、不锈钢及其各合金等）结构间的快捷、高效及高强的连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103133465B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310071404.5
申请日：2013-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种硬质材料在大气环境下实现可控间隙的随模加热及冷却连接的方法和该方法使用的模具，被连接硬质材料包括：陶瓷、玻璃及其他硬质材料。本方法基于已有的机械振动连接方法，如超声波辅助连接，其创新之一：采用特殊的装卡模具，能同时起到以下作用：1）简化连接工艺装置，操作简便；2）装卡被连接材料，确保整个结构的稳定性；3)控制接头连接界面间的间隙；4）提供充足的预压力；5）充当间接热源，为连接接头输入充足的热量；6）减缓冷却速率；7）简便工件被连接后的拆卸。创新之二：采用整体随模加热、冷却的方法。创新之三：与高频振动辅助连接方法有机结合，使之能在大气环境下实现硬质材料的可靠连接。
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公开(公告)号：CN105047604A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510390429.0
申请日：2015-07-03
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76867 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层的合成方法，包括：1)Cu6Sn5相单晶薄层制备；2)铜焊盘表面蒸镀锡层；3)Cu6Sn5相单晶薄层转移；4)Cu6Sn5相单晶薄层与铜基焊盘冶金互连。所得Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层结构的元素扩散阻挡能力是传统镍基元素扩散阻挡层结构的72倍以上，是Cu6Sn5相多晶元素扩散阻挡层结构的144.3倍以上。具备成为替代现有三维封装互连焊点下元素扩散阻挡层结构的潜力，有极高的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN105040106A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510317525.2
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种Cu6Sn5金属间化合物单晶种籽的制备方法，包括与其具有结构相似性的(CuNi)6Sn5、(CuCo)6Sn5、(CuNiCo)6Sn5等其他互易金属间化合物种籽的制备方法，所述方法包括a)钎料选择；b)钎料预处理；c)通过过饱和熔液制备单晶种籽；d)单晶种籽加工。该制备方法相对于现有技术本方法在制备特定尺寸单晶种籽的成本、效率及品质方面有所提高。
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公开(公告)号：CN102888536B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210399354.9
申请日：2012-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种镍铝基金属间化合物涂层，包括质量分数为55~70%的Ni，质量分数为25~35%的Al，质量分数为3~15%的Ti。本发明提供的镍铝基金属间化合物涂层对铁基或不锈钢基体具有很好的润湿性，与铁基或不锈钢基体的结合强度大大提高。此外，本发明提供的制备方法可提高镍铝基金属间化合物合成过程中液相含量，可以实现镍铝基金属间化合物涂层的快速制备，且制备的镍铝基金属间化合物涂层产物质量好，致密度高，孔隙率低。
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公开(公告)号：CN102935518B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210426581.6
申请日：2012-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种制备芯片贴装用纳米银浆的方法，包括以下几个步骤：步骤A:将还原剂和分散剂滴入硝酸银溶液中，搅拌；步骤B:将步骤A所得的溶液进行离心分离，得到上层为混合溶液，下层为沉淀的纳米银颗粒；步骤C:将步骤B分离出的纳米银颗粒用去离子水清洗后，再用电解质溶液絮凝，重新析出可进行离心分离的纳米银颗粒；步骤D:将纳米银颗粒反复进行清洗、絮凝、离心多次，最终得到水溶性纳米银浆；步骤E:将步骤D得到的纳米银浆作用于芯片与基板表面进行互连，通过热风工作台或炉中加热形成烧结接头。
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