公开(公告)号：CN101335422A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810048535.0

申请日：2008-07-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陆培祥 ,  张继皇 ,  黄川 ,  李玉华

IPC: H01S3/042

Abstract: 本发明提供一种用于高功率双包层光纤激光器及放大器的光纤冷却装置，包括金属管、输入端金属光纤夹具和输出端金属光纤夹具；金属管内表面设有呈螺纹状分布的光纤槽，金属管下部侧壁对称开有冷空气进入口；输入和输出端金属光纤夹具分别紧贴在金属管侧壁处，两夹具为条形金属块，金属块表面设有光纤槽，其与金属管内表面的光纤槽相连通；金属块上设有用于将光纤压紧于光纤槽的压紧机构，输入端金属光纤夹具的金属块内部还设有冷却液通道。本发明通过光纤与金属光纤夹具以及金属管的紧密接触，将产生的热量传递出去，用流动的低温空气和冷却液来冷却金属管和光纤夹具，从而避免双包层光纤的聚合物外包层温度升高，防止光纤老化，延长使用寿命。

公开(公告)号：CN101139701A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710053648.5

申请日：2007-10-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨光 ,  陆培祥 ,  龙华 ,  戴能利 ,  李玉华 ,  杨振宇

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法。先将清洗后的Si基片和纯度大于等于99.9％的二氧化钛靶放入真空室中，再将真空室抽真空到1×10－3－6×10－3Pa，通入0.5Pa－5Pa的氩气气氛，或者通入0.05Pa－0.5Pa的氧气气氛，并将Si基片加热到500－800℃；然后采用KrF准分子激光器，将激光通过透镜聚焦到二氧化钛靶材上，激光束的能量为340－750mJ，激光重复频率为1－10Hz，产生的二氧化钛等离子体向外发射至Si基片上，得到金红石相的纳米二氧化钛薄膜。本发明采用二氧化钛靶材，改变脉冲激光沉积过程中的参数，在硅基片上直接生长纯金红石相的TiO2薄膜。本发明方法简单，薄膜组分均匀，且具有良好的结晶性能。本发明方法可以较好地与传统半导体工艺相衔接，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN2599843Y

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03235547.5

申请日：2003-02-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈泽民 ,  李玉华 ,  黄维玲

IPC: H01S3/16 ,  H01S3/08 ,  H01S3/0941

Abstract: 本实用新型公开了一种全固态固体激光器，包括作为泵浦光源的二个半导体激光器、耦合系统、谐振腔和半导体制冷冷却装置，所述谐振腔采用Nd：YV04薄片晶体作为激光增益介质，并包括对称位于Nd：YV04薄片晶体的两端外的全反射镜和平面输出耦合镜，及靠近Nd：YV04薄片晶体的二端面并与之形成夹角的折叠用平面全反射镜；半导体激光器位于Nd：YV04薄片晶体的两侧；并分别置于冷却装置上；半导体激光器发出的泵浦光通过柱面镜聚焦到晶体内。该激光器采用多折腔技术使增益介质的体积得到充分的利用。半导体激光器与增益介质间的耦合采用简单有效的柱面镜耦合方式。冷却采用半导体制冷传导冷却方式，使整个激光器实现了全固态化。

公开(公告)号：CN201387494Y

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200720088544.3

申请日：2007-11-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨振宇 ,  陆培祥 ,  戴能利 ,  杨光 ,  李玉华 ,  龙华

IPC: G02B5/30

Abstract: 一种金属线栅偏振器，属于光学器件，目的在于具有高偏振光消光比和光通量，结构简单，工作波长范围宽。本实用新型的偏振器，在基板上沉积金属铝纳米线栅，基板为在紫外到红外波段均透明的光学材料；金属铝纳米线栅结构参数为：线栅周期长度40－80纳米，线栅占空比60％－40％，线栅厚度40－80纳米，层间距10－20纳米。本实用新型宽带偏振器在300－5000nm波段范围的偏振消光比可达到33－70dB，偏振光透过率可达到68％－94％。