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公开(公告)号：CN116741222A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310561696.4
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种非运放钳位多值存内计算电路及存储器，其中的电路包括氧化物半导体阵列、与氧化物半导体阵列连接的驱动电路、读写及计算电路、多路复用器以及查找表；其中，驱动电路用于驱动氧化物半导体阵列的读字线和写字线；读写及计算电路用于采样全局读位线上的电压并保持、将电压转换为表示计算或读取结果的数字值，以及将多值数字输入转换为待存电压以驱动全局写位线；多路复用器用于实现多个存储列共享一个逐次逼近型模数转换器；查找表用于在刷新模式下，通过模数转换器输出回算存储单元的栅压，以确定应施加的多值数字输入。利用上述发明能够提高存内计算电路的计算能效与并行度。
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公开(公告)号：CN116615036A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310335739.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种柔性宽光谱光电突触晶体管及其制备方法，属于神经形态计算技术领域。该柔性光电突触晶体管以两层具有不同波段光吸收特征的聚合物半导体作为沟道，采用聚电解质作为栅介电层，利用两种具有不同波段光吸收特征的聚合物半导体来拓宽光电突触器件的光吸收范围，同时聚电解质独特的电学特性，实现低电压操作下的光电双调制，从离子动力学角度模拟多种突触可塑性，且本发明采用的材料均为柔性材料，可应用于各种不规则曲面。
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公开(公告)号：CN116200807B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310467131.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于单晶炉加料设备领域，具体为一种单晶炉连续加料装置及其使用方法，包括固定底板和输送软管，所述固定底板的顶端面上固定连接有装置外壳，所述装置外壳内安装有下料粉碎组件、高效研磨组件和循环输送组件，所述下料粉碎组件通过固定杆与高效研磨组件连接，所述高效研磨组件与循环输送组件相连接，解决了现有的单晶炉连续加料装置在使用过程中，虽能够进行连续加料，但在加料过程中，不能够对需要使用的多晶硅原料和掺杂剂进行便捷稳定的间歇等量下料，因此在加料过程中，不能够对需要使用的多晶硅原料和掺杂剂进行稳定配比使用，并且不能够有效避免一次性大量下料导致装置内部堵塞，或者石英坩埚内部原料溢出。
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公开(公告)号：CN116187112B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310486587.0
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统，属于半导体技术领域。基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法，包括以下步骤：获取单晶炉热场参数源数据；对获取的源数据进行预处理，得到预处理的源数据；输入单晶生长环境感知物联网产生的数据到大数据平台，通过运算框架对所述预处理的源数据建立模型；根据单晶炉热场参数源数据。本发明解决了现有技术中没有对单晶炉热场进行合理设计，导致单晶生长质量低的问题，对原有单晶炉热场进行扩容处理，能够对单晶硅的直径具有包容性，适用面广；且扩容后的单晶炉热场功耗相较于原单晶炉热场的功耗较低，因而单晶硅生成的质量较好。
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公开(公告)号：CN116362308A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211580031.X
申请日：2022-12-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种神经网络中神经元随机失活的实现方法，属于半导体、人工智能和神经形态计算技术领域。本发明利用叠层器件的阈值电压可调特性，完成神经网络dropout功能，与传统CMOS实现dropout功能相比，面积消耗小，对未来新型神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116200807A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310467131.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于单晶炉加料设备领域，具体为一种单晶炉连续加料装置及其使用方法，包括固定底板和输送软管，所述固定底板的顶端面上固定连接有装置外壳，所述装置外壳内安装有下料粉碎组件、高效研磨组件和循环输送组件，所述下料粉碎组件通过固定杆与高效研磨组件连接，所述高效研磨组件与循环输送组件相连接，解决了现有的单晶炉连续加料装置在使用过程中，虽能够进行连续加料，但在加料过程中，不能够对需要使用的多晶硅原料和掺杂剂进行便捷稳定的间歇等量下料，因此在加料过程中，不能够对需要使用的多晶硅原料和掺杂剂进行稳定配比使用，并且不能够有效避免一次性大量下料导致装置内部堵塞，或者石英坩埚内部原料溢出。
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公开(公告)号：CN116180215A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310489730.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉辅助拉晶装置及其使用方法，包括液压杆，所述液压杆的下方固定连接有顶盘，顶盘底部的四周固定连接有连接柱，所述连接柱的下方固定连接有支撑块，所述支撑块的内部安装有转向组件，所述转向组件的下方连接有外壳，所述外壳上半部分的内部安装有提升组件，所述提升组件的下方安装有钨丝籽晶绳，所述钨丝籽晶绳的末端连接有绳头，绳头的外侧固定安装有密封盘，外壳内壁的四周安装有压轮，外壳的左右两侧开设有移动槽，移动槽的内部贴合设置有活塞块。该装置能够在将硅锭升至最高时自动截断余料，而且能够对硅锭整体的放置方式进行调节，在横置时能够适应硅锭表面的起伏对硅锭稳定承托。
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公开(公告)号：CN116168788A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310451962.8
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法及系统，涉及半导体技术领域。为了解决对硅熔液中的分凝系数进行分析时，通常只分析溶液中的分凝系数，这样分析出来的结果准确度不高的问题。基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法，包括以下步骤：加热得到硅熔液，并预设硅熔液分凝系数，获取掺杂离子和浓度系数，计算得出第一分凝系数k1，对硅溶液进行凝固处理，对硅晶体区的离子数据进行分析，计算得到第二分凝系数k2，计算得到最终的分凝系数m。本发明能够获得高度准确的分析结果，进而在加工硅晶体时能够准确的添加掺杂剂，保证了硅晶体的成品质量。
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公开(公告)号：CN115841841A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211554400.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: G11C29/02 , G11C29/50 , G11C11/4078
Abstract: 本发明公开了一种面向存内计算的存储器阻值校准方法，属于半导体和存内计算技术领域。该方法利用存内计算网络的特性，针对新型存储器器件的两种不同电阻变化特性，设置参考列器件全部为HRS或LRS时，在工作列输出电流中减去大部分来自于HRS或LRS的误差电流，得到校正电流，再通过参考电阻最终输出矫正后的电压信号。利用本发明提供的方法，将不同阻值‑温度关系的新型存储器交叉点阵中器件的阻值得到矫正，从而保障基于新型存储器的存内计算芯片在广泛环境温度下的性能。
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公开(公告)号：CN115794728A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211499618.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种存内计算位线钳位与求和外围电路及其应用，属于半导体和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的存内计算技术领域。该电路包括一个共用的偏置产生单元与多个并行的钳位求和输出单元，偏置产生单元用来产生所需的偏置电压，钳位求和单元使用运算放大器OP1与共源共栅管N2与N3以钳位位线BL电压，在运放输出稳定后把阵列与运放关闭而保持电容Cg上电压不变，以节省功耗。通过调节开启电流镜倍数与N12的开启时间实现直接相加或加权相加的功能。本发明能消除器件高阻电流对计算结果的影响，减少运放负载电流，减少ADC开启次数，并不需要数字移位求和单元，减少了存内计算系统的面积与功耗。
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