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公开(公告)号：CN101330123A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810128693.7
申请日：2008-06-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物系半导体发光元件(11)，其中，p型AlYGa1－YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19比p型AlXGa1－XN层(15)的p型掺杂剂浓度Np15大，因此，p型掺杂剂从p型AlYGa1－YN层(19)向p型AlXGa1－XN层(15)扩散，且到达p型AlXGa1－XN层(15)和活性层(17)的界面附近。p型AlXGa1－XN层(15)和活性层(17)的界面附近的p型AlXGa1－XN层(15)中，p型掺杂剂的浓度分布曲线PF1Mg变得陡峭。另外，p型AlZGa1－ZN层(21)的p型掺杂剂浓度与p型AlYGa1－YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19被独立地规定。
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公开(公告)号：CN100413102C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269999C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02105907.1
申请日：2002-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B31/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00
CPC classification number: C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。
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公开(公告)号：CN1698184A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000273.0
申请日：2004-02-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物－基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物－基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜－沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜－沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜－沉积温度。
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公开(公告)号：CN1694272A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN1577743A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062832.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1－xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。
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公开(公告)号：CN1380449A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105907.1
申请日：2002-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B31/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00
CPC classification number: C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶,在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时,保持C面以外的表面,使氮化镓结晶进行气相成长,通过该表面,在氮化镓结晶中掺杂氧。或者,使用表面上具有C面的种晶,在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时,使产生C面以外的小平面,在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长,通过小平面,在氮化镓结晶中掺杂氧。
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