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公开(公告)号：CN105445779A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511018954.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T3/00
Abstract: 本申请涉及慢中子转换体及慢中子探测器，属于慢中子探测领域。一种慢中子转换体包括基体，所述基体包括沿第一方向延伸的多个孔洞和所述多个孔洞之间的绝缘壁，所述多个孔洞为贯穿孔洞。所述慢中子转换体还包括至少覆盖所述多个孔洞的暴露表面的硼层。根据本申请的慢中子转换体及具有该慢中子转换体的慢中子探测器能够保持较高的慢中子探测效率。另外，可以降低探测器制作的复杂程度与制作的成本，从而实现有效、便捷、低成本的慢中子探测目的。
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公开(公告)号：CN105242300A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510417228.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN104345070A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310321325.5
申请日：2013-07-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: G01V5/0016 , G01V5/0075
Abstract: 应用于X/Gamma射线集装箱/车辆检查设备的散列排布探测器。本发明公开了一种探测器模块，该探测器模块被安装在探测器臂上，该探测器模块包括散列排布的一个或多个探测器单元，其中每个探测器模块中的每个探测器单元对准射线源的束流中心安装，在提高成像质量的同时大幅度减小探测器框架的尺寸。
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公开(公告)号：CN104111470A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410336256.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN103972323A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310038954.7
申请日：2013-01-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/241
Abstract: 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103235332A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310149397.6
申请日：2013-04-26
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN101603928B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810114814.2
申请日：2008-06-12
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: H05G1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于辐射装置的调节定位装置，包括：夹紧装置，夹紧装置可分离地连接到辐射装置上以夹紧辐射装置；支座，夹紧装置连接到支座上并且在其之间限定一滑动路径，其中夹紧辐射装置的夹紧装置可在预定方向上沿滑动路径移动；以及调节装置，其与夹紧装置相结合，以驱动夹紧装置沿滑动路径移动，其中：夹紧装置上设置有第一螺纹部分；以及调节装置包括安装到支座上的调节螺杆，调节螺杆具有第二螺纹部分，夹紧装置上的第一螺纹部分与调节螺杆的第二螺纹部分相配合，以驱动夹紧装置沿滑动路径移动。夹紧装置包括第一弧面板部分和第二弧面板部分，第一、第二弧面板部分紧固配合，以将辐射装置夹紧在其之间。
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公开(公告)号：CN102103091A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010621621.3
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种探测器装置，包括：调节定位基座，其包括：可固定连接到环形旋转圆盘上的水平板；以及从所述水平板上延伸并大体与所述水平板垂直的垂直板，探测器模块，其可固定地安装到所述调节定位基座的所述垂直板上，其中：所述水平板设置有至少一个凸台，在所述至少一个凸台上开有导向槽，一限位导向滑轮设置在所述导向槽中并可沿所述导向槽滑动。通过采用本发明的技术方案，探测器装置的结构紧凑，并且可以实现对探测器装置的精确调节和定位。另外，本发明还提供一种具有上述探测器装置的CT检查系统。
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公开(公告)号：CN101577284B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810106279.6
申请日：2008-05-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/146 , G01T1/24 , H04N5/32
CPC classification number: G01T1/242 , H01L31/085
Abstract: 本申请公开了一种用于测量辐射的半导体探测器和成像装置，其中半导体探测器包括：半导体介质，该半导体介质可以吸收待测量的至少一个能量段的辐射；阳极电极，该阳极电极设置在半导体介质的一个表面上；阴极电极，该阴极电极设置在与所述一个表面相对的半导体介质的另一个表面上；以及信号处理电路，该信号处理电路与所述阳极电极和阴极电极连接，并将检测到的信号处理为表示辐射的能量沉积量的数值，其中，所述半导体介质接收沿着平行于电极平面的方向入射的辐射，并且，所述阳极电极和所述阴极电极沿着辐射的入射方向分成多个间隔开的子电极对，分别用于检测相应能量段的辐射的能量沉积量。
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公开(公告)号：CN101470082A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304361.5
申请日：2007-12-27
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01N23/04
CPC classification number: G01V5/005 , G01V5/0041 , Y10S378/901
Abstract: 本发明公开一种物品检测装置，包括独立的DR子系统和独立的CT子系统，还包括将DR子系统的投影数据和CT子系统的投影数据联系在一起进行综合判断的判断装置。另外，还公开一种检测方法，包括：利用DR子系统获得被检测物品的A层面的包含射线衰减系数信息的第一投影数据，利用CT子系统获得被检测物品的A层面的包含射线衰减系数信息的第二投影数据；根据第一投影数据和第二投影数据来判断被检测物品的A层面是否存在危险品，从而获得关于被检测物品的A层面的第一判断。与现有技术相比，本发明通过将DR子系统的投影数据和CT子系统的投影数据联系在一起，从而增加了用于判断的数据信息，使得判断结果更准确，而且不会降低被检测物品的通过率。
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