公开(公告)号：CN101990698A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980112445.6

申请日：2009-04-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  上野昌纪 ,  中西文毅

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/0242 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

Abstract: 发光二极管(21a)的支撑基体(23)的主面(23a)相对于c面以大于10度且小于80度的倾斜角倾斜。半导体积层(25a)包含具有400nm以上且550nm以下的波长范围内的发光峰值的有源层(27)。GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR3))与缓冲层(33a)的(0001)面的倾斜角A为0.05度以上且2度以下。另外，GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR4))与阱层(37a)的(0001)面的倾斜角B为0.05度以上且2度以下。倾斜角A及倾斜角B相对于GaN支撑基体的c面彼此朝相反方向倾斜。

公开(公告)号：CN101958509A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010231379.9

申请日：2010-07-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住友隆道 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00

Abstract: 一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光，因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体，并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚，但第一～第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中，能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。

公开(公告)号：CN101911322A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101538.9

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101826581A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010123875.2

申请日：2010-03-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  长田英树 ,  石桥惠二 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/30 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01L33/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片。所述氮化镓类半导体光元件包括显示较低的压电效应和良好的结晶质量的含铟氮化镓类半导体层。氮化镓类半导体光元件具有GaN支撑体、GaN类半导体区域和阱层。主面从与沿着GaN的m轴和a轴中一个晶轴的方向延伸的基准轴正交的面起，向另一个晶轴的方向倾斜。倾斜的角度(AOFF)在0.05度以上且小于15度的范围内。角度(AOFF)与矢量(VM)和矢量(VN)形成的角度相等。主面的倾斜由具有代表性的m面和m轴矢量(VM)表示。GaN类半导体区域设置于主面上。活性层的阱层的m面和a面均向主面的法线轴倾斜。阱层的铟组分大于0.1。

公开(公告)号：CN101647091A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880010360.2

申请日：2008-02-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/34333

Abstract: 原料气体流过有机金属气相生长炉(21)的流动通道(23)。在从一端至另一端横穿支撑台(25)主面(25a)的方向上供应所述原料气体。将GaN衬底(27a～27c)布置在所述支撑台主面(25a)上。斜角在从所述氮化镓衬底(27a～27c)的主面的边缘上的一个点向所述边缘上的另一个点的线段上单调变化。所述各个GaN衬底(27a～27c)的取向由所述取向平面的方向表示。通过根据所述取向将所述多个氮化镓衬底(27a～27c)布置在所述有机金属气相生长炉(21)的支撑台(25)上，通过利用归因于所述原料气体流动的影响能够降低所述斜角分布的影响。

公开(公告)号：CN100580881C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200480000273.0

申请日：2004-02-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物-基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物-基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜-沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜-沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜-沉积温度。

公开(公告)号：CN101556917A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910134808.8

申请日：2009-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中西文毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低In组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在GaN衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构(有源层)的步骤中，通过生长InGaN而形成各个阱层，在第一温度下生长各个阻挡层，在低于所述第一温度的第二温度下生长各个阱层，且当形成各个阱层时，在供应Ga的原料气体(三甲基嫁)之前，供应In的原料气体。

公开(公告)号：CN101499416A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910009927.0

申请日：2009-01-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  上野昌纪 ,  上田登志雄 ,  高须贺英良 ,  千田裕彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供了一种生长III－V族化合物半导体的方法以及制造发光器件和电子器件的方法，其中降低了危险并能够在低温下有效地供应氮。所述生长III－V族化合物半导体的方法包括下列步骤。首先，准备含选自一甲胺和一乙胺中的至少一种物质的气体以作为氮原料。然后，使用该气体通过气相生长来生长III－V族化合物半导体。

公开(公告)号：CN100483627C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410062832.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  高须贺英良 ,  中山雅博 ,  上野昌纪 ,  三浦广平 ,  京野孝史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1-xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。

公开(公告)号：CN101388330A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810160808.0

申请日：2008-09-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  上田登志雄 ,  渡边容子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。